长鑫科技跻身全球第四 DRAM供不应求+HBM放量双驱动
近期机构研报指出,AI算力爆发持续推高KV Cache需求,即便有内存压缩技术,2026年AI相关DRAM需求仍占全年出货量六成以上。HBM与服务器DRAM需求同比激增214%和134%,而供给端受晶圆厂建设周期长、海外长协锁定及HBM挤占产能影响,DRAM供需缺口将延续至2027年。 研报认为,长鑫Gen5平台量产对标海外1b制程,4F2架构样片验证完成,LPDDR6与HBM产能加速落地,叠加合肥二期、北京厂全面达产,中高端产品占比提升将强化盈利质量。研报指出,公司估值显著低于三星、海力士等可比厂商,成长确定性带来重估空间。 中财网
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