北方华创受益晶圆扩产加速 国产设备突破成关键支撑

时间：2026年11月09日 10:56:54 中财网

　　CFi.CN讯：数据显示，国内晶圆扩产正全面提速，存储领域NAND实现300层突破、DRAM自研4F2技术支撑DDR5/6量产，逻辑厂成熟制程已打通，N+2/N+3良率快速提升。国产设备在刻蚀、薄膜沉积、CMP、清洗等环节已较成熟，数字测试机、量检测、涂胶显影等新兴环节也取得重大突破。

　　
　　近期机构研报指出，扩产卡点基本消除，保供需求驱动下，国产存储与逻辑fab厂进入密集建设期。研报认为，北方华创作为平台型设备龙头，覆盖刻蚀、薄膜、热处理等核心环节，直接受益于扩产放量与国产替代双轮驱动。

　　
　　研报指出，设备国产化率提升不仅缓解供应链风险，更增强扩产确定性，叠加算力芯片出货拉动逻辑厂持续扩产，公司订单可见度显著提高。技术升级与地缘风险虽存，但当前扩产节奏与设备验证进展已实质性兑现。