[中报]芯联集成(688469):芯联集成电路制造股份有限公司2025年半年度报告

时间:2025年08月05日 10:15:25 中财网

原标题:芯联集成:芯联集成电路制造股份有限公司2025年半年度报告

公司代码:688469 公司简称:芯联集成 芯联集成电路制造股份有限公司 2025年半年度报告 重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的风险,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中“四、风险因素”相关的内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人赵奇、主管会计工作负责人王韦及会计机构负责人(会计主管人员)张毅声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中涉及的公司未来发展计划、发展战略、经营计划等前瞻性描述,不构成公司对投资者的实质性承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 8
第四节 公司治理、环境和社会 ....................................................................................................... 31
第五节 重要事项 ............................................................................................................................... 33
第六节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 67
第七节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 75
第八节 财务报告 ............................................................................................................................... 76



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯联集成、公司、 本公司芯联集成电路制造股份有限公司
芯联越州芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司,公司控股子公司
芯联先锋芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司,公司控股子公司
吉光半导吉光半导体(绍兴)有限公司,公司全资子公司
芯联实业上海芯联实业有限公司,公司全资子公司
绍兴鑫悦绍兴鑫悦商业管理有限公司,公司全资子公司
芯联置业绍兴芯联置业有限公司,公司全资子公司
芯联动力芯联动力科技(绍兴)有限公司,公司控股子公司
芯联先进芯联先进集成电路制造(绍兴)有限公司,公司控股孙公司
芯联股权芯联股权投资(杭州)有限公司,公司全资子公司
横琴芯联广东横琴芯联科技有限公司,公司全资子公司
横琴芯启广东横琴芯启科技有限公司,公司全资子公司
上海琏宸上海琏宸企业管理合伙企业(有限合伙)
上海芯琏上海芯琏企业管理合伙企业(有限合伙)
芯联私募芯联私募基金管理(杭州)合伙企业(有限合伙)
中芯国际中芯国际集成电路制造有限公司
越城基金绍兴市越城区集成电路产业基金合伙企业(有限合伙),公司股东
中芯控股中芯国际控股有限公司,公司股东
硅芯锐绍兴硅芯锐企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东、员工持股平台
日芯锐绍兴日芯锐企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东、员工持股平台
共青城橙海共青城橙海股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
共青城秋实共青城秋实股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
共青城橙芯共青城橙芯股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
芯瑞基金绍兴滨海新区芯瑞创业投资基金合伙企业(有限合伙)
富浙绍芯浙江富浙绍芯集成电路产业基金合伙企业(有限合伙)
富浙越芯绍兴富浙越芯集成电路产业股权投资基金合伙企业(有限合伙)
工融金投工融金投一号(绍兴)股权投资基金合伙企业(有限合伙)
中鑫芯联中鑫芯联股权投资基金(绍兴)合伙企业(有限合伙)
交汇先锋绍兴交汇先锋集成电路股权投资基金合伙企业(有限合伙)
建源芯联建源芯联(绍兴)股权投资基金合伙企业(有限合伙)
信石信芯芜湖信石信芯股权投资合伙企业(有限合伙)
华芯锋华芯锋私募股权投资基金(青岛)合伙企业(有限合伙)
信石华芯华芯锋私募股权投资基金(青岛)合伙企业(有限合伙)
AIC金融资产投资公司(Asset Investment Company),为中农工建交五大 银行设立的全资控股的金融资产投资公司
AMC资产管理公司(Asset Management Company),主要包括中国东方资产 管理公司、中国信达资产管理公司、中国华融资产管理公司、中国长 城资产管理公司
董事会芯联集成电路制造股份有限公司董事会
股东大会芯联集成电路制造股份有限公司股东大会
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
科创板上海证券交易所科创板
工信部中华人民共和国工业和信息化部
EBITDA息税折旧摊销前利润,计算公式为:息税折旧摊销前利润=利润总额+ 财务费用利息支出+折旧+摊销
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
报告期2025年 1月 1日至 2025年 6月 30日
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有 硅、硒、锗等
功率器件应用于电力设备的电能转换和电路控制的器件,是分立器件的重要组 成部分,包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等
IGBT绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor),是由 BJT(双 极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱 动式功率半导体器件
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体 场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应 晶体管
晶圆制造半导体的衬底(也叫基片)。由于是晶体材料,其形状为圆形,所 以称为晶圆。按其直径主要分为 4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12 英寸等规格
封装将生产加工后的晶圆进行切割、焊线塑封,使电路与外部器件实现连 接,并为集成电路提供机械保护,使其免受物理、化学等环境因素损 伤的工艺
射频、RFRadio Frequency,是一种高频交流变化电磁波,频率范围从 300kHz~ 300GHz之间
超结高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种新型功率器件,在 平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的基础上,引入电荷 平衡结构
模拟芯片、模拟 IC处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号是指用电参 数,如电流和电压,来模拟其他自然物理量而形成的连续性的电信号
碳化硅、SiC一种第三代半导体材料,具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁 移速率较高、热导率极高等性质
HVICHigh Voltage Integrated Circuit,高压集成电路
BCD工艺一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极性晶体 管 Bipolar、CMOS和 DMOS器件,因而被称为 BCD工艺
SOISilicon-On-Insulator,简称 SOI,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层 硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层
SoC系统级芯片(System on Chip,SoC),指在一颗芯片内部集成了功能 不同的子模块,组合成适用于目标应用场景的一整套系统。系统级芯 片往往集成多种不同的组件
VCSELVertical-Cavity Surface-Emitting Laser指垂直腔面发射激光芯片。此类 芯片可以将激光垂直发射而出,一方面简化生产工艺流程,另一方面 扩展了下游领域的应用
IPM智能功率模块,由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速 保护电路构成
特别说明:本报告若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况,均为四舍五入原因造成。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称芯联集成电路制造股份有限公司
公司的中文简称芯联集成
公司的外文名称United Nova Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写UNT
公司的法定代表人赵奇
公司注册地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
公司办公地址的邮政编码312000
公司网址www.unt-c.com
电子信箱IR@unt-c.com
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名张毅商娴婷
联系地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路 518号
电话0575-884218000575-88421800
传真0575-884208990575-88420899
电子信箱IR@unt-c.comIR@unt-c.com

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》(www.cs.com.cn)《上海证券报》 (www.cnstock.com)《证券时报》(www.stcn.com) 《证券日报》(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A股)上海证券交易所科创板芯联集成688469中芯集成

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入3,495,197,770.172,879,569,269.6621.38
利润总额-936,728,512.33-1,126,924,140.49减亏16.88%
归属于上市公司股东的净利润-170,340,374.78-470,756,855.48减亏63.82%
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润-535,608,127.29-777,523,228.69减亏31.11%
息税折旧摊销前利润(EBITDA)1,101,482,176.761,123,309,584.57-1.94
经营活动产生的现金流量净额981,425,135.32554,152,980.6177.10
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产12,424,504,209.1012,321,013,873.280.84
总资产33,187,412,031.6934,202,723,841.88-2.97
说明:息税折旧摊销前利润(EBITDA)=利润总额+财务费用利息支出+折旧+摊销 (二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
毛利率(%)3.54-4.25增加7.79个百分点
净利率(%)-26.80-39.14增加12.34个百分点
息税折旧摊销前利润率(%)31.5139.01减少7.50个百分点
基本每股收益(元/股)-0.02-0.07不适用
稀释每股收益(元/股)-0.02-0.07不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.08-0.11不适用
加权平均净资产收益率(%)-1.38-3.83增加2.45个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-4.34-6.33增加1.99个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)27.5930.19减少2.60个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润变动的主要原因:报告期内,公司通过不断拓展市场、积极开拓应用领域,有效带动了销售规模的扩大;同时,公司积极推行供应链管控与精益生产管理等降本增效措施,使整体盈利能力得到显著提升。

经营活动产生的现金流量净额变动的主要原因:主要系销售规模扩大,客户回款较上年同期增加。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值准备的冲-1,796,181.67 
销部分  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切 相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公 司损益产生持续影响的政府补助除外305,168,821.85 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,非 金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动 损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益74,943,265.12 
除上述各项之外的其他营业外收入和支出571,846.62 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额  
少数股东权益影响额(税后)13,619,999.41 
合计365,267,752.51 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本期比上年同 期增减(%)
扣除股份支付影响后的净利润-116,508,985.06-454,880,994.49减亏74.39%

十、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 公司所处行业及应用领域发展趋势
得益于新能源汽车普及、智能驾驶渗透、数据中心与AI算力需求增长、新能源行业回暖等多重因素的共同推动,全球半导体行业在经历周期性调整后显现复苏。新能源汽车、人工智能(AI)、消费电子、风光储等细分领域对功率器件、模拟IC等产品的需求保持较高增长。根据WSTS预测,2025年全球半导体市场规模预计达到7,009亿美元,增长11.2%。

中国作为全球最大的汽车、新能源及消费电子市场,其对半导体产品的需求正随着汽车电动化和智能化、人工智能产业等新兴领域的快速发展而持续增长。工信部数据显示,2025年1-5月中国集成电路产量1,935亿块,同比增长6.8%,其中出口集成电路1,359亿个,同比增长19.5%。与此同时,全球经济复杂形势延续,为国内半导体产业提供了发展机遇。

1、 新能源汽车赛道需求持续增长,智能化有望加速落地
2025年上半年,中国汽车行业受政策拉动需求有所提升,新能源车市场延续增长态势。根据能源汽车销量达560.8万辆,同比增长44%。乘用车方面,据统计,2025年1-5月中国乘用车零售销量881.7万辆,同比增长9.2%,其中新能源乘用车零售销量435.6万辆,同比增长34.2%,新能源乘用车渗透率达49.4%。与此同时,随着智能驾驶数据资源积累,算力、大模型等AI技术的迭代升级,智能驾驶有望从量变到质变,智能化成为当前车企的重点发力点。

功率半导体作为汽车电子的核心,是新能源汽车中成本仅次于电池的第二大核心零部件。新能源汽车市场的增长和智能化技术的快速发展,将为功率半导体、模拟IC、传感器等半导体带来广阔增量机遇。

2、 消费电子需求复苏趋势延续,AI赋能开启新一轮创新周期
当前全球智能手机、PC、家电行业延续需求回暖趋势。据 Canalys 数据,在 3C 电子领域,2025年一季度全球智能手机销量约为3.05亿台,同比增长5.4%,全球PC出货量6,270万台,同比增长9.4%。中国手机市场2025年一季度出货量约为0.65亿台,同比增长1.2%,中国PC出货量达890万台,同比增长12%;受益于国补政策, 2025年上半年家电领域行业增长较好,2025年1-4月,中国家用电器和音响器材类社会零售总额增长23.9%。与此同时,AI端侧应用正在加速,有望给手机/PC、可穿戴等硬件产品带来创新和新的机遇,2025 年消费电子行业有望迎来上行周期。

终端产品的升级换代或将带动消费电子领域MEMS传感器芯片、功率器件及模拟IC等的整体增长,同时AI手机及AIPC搭载大模型带来大量计算、高能耗需求,有望带动电源管理类芯片形成新场景下的增量需求。

3、 风光储行业需求持续回暖,政策推动新能源行业高质量发展
2025年上半年,风光储行业在政策引导与市场需求双轮驱动下,行业继续增长。国家能源局联合相关部委于报告期内密集发布《分布式光伏发电开发建设管理办法》《新型储能制造业高质量发展行动方案》等多项新能源领域政策文件,推动新能源产业从规模扩张阶段向高质量发展阶段转型,为新能源产业迈向高质量提速发展新阶段提供有力支撑。风电领域,2025年1-5月,中国风电装机 5.7 亿千瓦,同比增长 23.1%,海上风电进入建设大年;光伏领域,分布式光伏新政推动光伏“抢装”,2025年1-5月中国太阳能发电装机容量10.8亿千瓦,同比增长56.9%;储能领域,据CESA统计,2025年上半年中国新型储能新增装机达51.2GWh,同比增长46%;中国企业同步加快国际化步伐, 2025年上半年获得海外储能订单/合作规模突破160GWh,同比增长220%。


4、AI基建加速带动功率及模拟芯片需求,人形机器人打开半导体长期增长空间 AI数据中心领域,大模型及AI应用的不断涌现和迭代,使得全球算力需求呈现增长态势,数据中心建设规模持续扩大,服务器数量增加。据TrendForce预估,2025年全球AI服务器出货量约246万台,同比增长24.3%。AI算力的扩张有望持续推动高功率、高效率和高稳定性的AI服务器电源需求增长,为上游模拟及数模混合芯片产业带来了新的市场机遇。

人形机器人领域,2025年上半年,中国人形机器人行业在商业落地层面实现里程碑式突破,在物流、工业等多个核心场景逐步实现规模化交付。据中国电子信息产业发展研究院预计,至2026年,人形机器人产业规模将突破200亿元。人形机器人商业拐点的临近,为传感器、功率半导体及模拟 IC 等上游核心器件注入强劲增长动能。


(二)报告期内公司所处的行业地位
芯联集成致力于成为世界领先的一站式芯片系统代工企业。

在晶圆代工方面:功率器件领域,公司是中国最大的车规级IGBT生产基地之一,同时公司在SiC MOSFET出货量上稳居亚洲前列,是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业;模拟IC领域,公司聚焦模拟IC持续开发国内独有、稀缺的高压BCD平台,是国内在该领域布局最完整的企业之一,公司的BCD工艺技术研发已达到国际领先水平,且多个新平台已实现规模量产;MEMS领域,公司是国内规模最大、技术最先进的MEMS晶圆代工厂。据Chip Insights数据,公司已迈入晶圆代工“第一梯队”,跻身全球专属晶圆代工榜单前十,中国大陆第四。

模组封装方面:公司的功率模块出货量位居中国市场前列。根据盖世汽车研究院发布的2024年功率器件(驱动)供应商装机量数据,公司在国内新能源乘用车终端销量排行榜位列第三。目前公司SiC MOSFET芯片及模组已全面覆盖650-3300V碳化硅工艺平台,产品关键指标均处于国内领先水平。


(三)公司主营业务、主要产品及应用领域
公司产品主要包括应用于车载、工控、高端消费、AI领域的功率控制、功率驱动、传感信号链等方面核心芯片及模组。

1、功率控制方面,公司布局了“8 英寸硅基+12 英寸硅基+化合物”等多条产线,产品覆盖IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN等芯片和模组,产能覆盖中高端功率半导体。随着12英寸硅基产线和8寸碳化硅产线不断放量,成本优势与技术先进性将进一步凸显,推动公司在汽车、AI、高端消费、工控等领域的长期、快速增长。

2、功率IC方面,公司布局高电压、大电流和高密度三大方向,提供完整的车规级晶圆代工服务。下一代集成更多智能数字的先进BCD工艺平台持续开发中,以满足客户应用在音频、数字电源和协议芯片等数模混合产品的需求。同时,针对目前已经成熟量产的0.18um BCD40V/60V/120V平台工艺持续优化,助力客户不断提升产品性能并降低成本,满足各类驱动、电源管理、接口和AFE等产品的代工需求。BCD SOI工艺,多个客户产品导入,应用于车载BMS AFE(电池管理系统芯片)。数模混合的集成单芯片工艺平台BCD 60V/120V BCD+eflash,满足车规G0标准,多个客户产品验证完成并进入量产,配合新能源汽车和工业4.0的集成SoC方案,提供高可靠性和更具成本优势的工艺方案。55纳米MCU平台(嵌入式闪存工艺)开发完成,满足车规G1的高可靠性要求,应用于物联网MCU和安全芯片。同时具有成本优势的下一代积极开发中。

3、传感信号链方面,多家客户已量产。公司代工的硅麦克风、激光雷达中的振镜、压力传感等,助力新能源及智能化产业发展。其中应用于高端消费、新能源汽车的第三代麦克风进入大批量量产,第四代双振膜麦克风设计迭代中;车载运动传感器进入批量生产阶段,消费类多轴传感器完成送样,预计下半年进入小批量试产验证;车载激光雷达扫描镜验证完成,进入小批量试产验证。同时,MEMS麦克风芯片已大量应用于AI语音识别,如AI眼镜等;应用于高性能语音交互的第五代麦克风正在研发中;用于 AI 数据传输芯片验证迭代中,预计下半年进入小批量试产验证。


(四)报告期内公司主要经营模式
公司在晶圆代工模式的基础上,不断汲取市场需求的变化,通过在横向维度上打造覆盖设计 服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试环节的一站式芯片系统代工服务体系,在纵向维度上满足包括功率器件、功率 IC、MCU、模组在内的由点到面的代工需求。

公司的"一站式芯片系统代工"模式整合了从设计服务、芯片制造、模组封装、应用验证到可靠性测试全方位服务,为不同类型的客户提供更为高效、灵活、可靠的整体解决方案。公司通过深度配合客户产品开发流程、各环节协同优化,帮助客户提升产品可靠性与性能、降低综合成本、缩短产品上市周期,与客户构筑形成长期合作伙伴关系。

公司持续优化和提升经营策略,不断丰富和升级经营模式,进一步提升公司与客户之间合作方式的灵活性和多样性,增加公司与客户合作的黏性。


新增重要非主营业务情况
□适用 √不适用

二、 经营情况的讨论与分析
上半年,公司持续发挥一站式芯片系统代工模式的优势,聚焦重点客户的核心需求,抓住国产芯片导入时间窗口,同时加强研发力度,不断推出稀缺工艺技术平台,提升了公司的核心竞争力。

(一)盈利能力稳定向好,归母净利同比减亏63.82%,首次实现单季度归母净利润转正 2025年上半年,公司归属于母公司所有者的净利润同比减亏63.82%,其中二季度归母净利润0.12亿元,首次实现单季度转正;毛利率3.54%,同比增长7.79个百分点;息税折旧摊销前利润(EBITDA)11.01亿元,息税折旧摊销前利润率31.51%。

报告期内,公司实现主营收入 34.57 亿元,较上年同期增长 24.93%。收入规模的快速扩张,直接提升了公司的规模效应,摊薄产品的固定成本。同时公司全面施行成本优化及效率提升措施,持续革新工艺流程与材料应用,降低基础工艺平台的成本结构;深度挖掘并发挥供应链的战略协同价值,获取更具竞争力和更优质的供应服务保障;不断优化量产产品的生产组织与作业流程,严格管控物料使用,提升整体生产效率;推行精细化管理模式,深植成本控制理念,形成自上而 下、全员参与的成本节约氛围。 随着公司固定资产折旧等固定成本的逐渐消除及平稳的资产投入,将进一步减轻产品的成本 负担,直接转化为稳定的毛利率水平,从而提升公司的盈利能力,为公司未来的财务表现和市场 竞争力带来积极影响。 (二)四大应用领域同步发力,上半年主营收入同比增长25% 2025年上半年,核心业务在战略方向上的精准发力,从产品线布局、市场覆盖、客户关系等 多个维度的系统性市场拓展,对公司业绩的提升形成了强劲的驱动力。同时,公司加速海外市场 布局,已成功导入多个消费类、绿色出行类客户项目。 公司将车载、工控、消费作为收入高增长潜力领域,同时将AI作为重要战略领域。公司在主 营收入的增长,源于公司在四大应用领域的协同推动、同步拓展与深化。 报告期内,公司实现车载领域收入同比增长23%;工控领域收入同比增长35%;消费领域收入 同比增长2%。公司车载、工控、消费领域的收入占比分别为47%、19%、28%。 同时,公司将AI服务器、数据中心、具身智能、智能驾驶等新兴应用领域作为公司第四大核 心市场方向。上半年AI领域贡献营收1.96亿元,营收占比达6%,为公司在新一轮市场中占据了 领先的地位,为收入的可持续增长注入新的活力。 (三)“芯片系统代工”商业模式创新效果显现,模组封装业务同比增长超100% 作为半导体产业界的创新科技公司,公司“一站式芯片系统代工”的经营模式已获得市场和 客户的认可。公司提供从设计服务、晶圆制造并延伸到模组封装、可靠性测试和应用验证等的一 站式芯片系统代工服务,既能直面市场需求、敏锐感知市场方向,又能为终端客户提供模块化的 产品及服务。 报告期内,随着与终端客户的合作深度和粘性的不断加强,公司车载功率模组批量交付,光 伏、储能模块稳定大规模量产等,公司模组封装业务直接贡献营业收入同比增长超100%。其中车 规功率模块收入增长超200%。 (四)产品研发与市场拓展不断实现新的突破,深度布局人工智能(AI)应用领域 车载领域,公司6英寸SiC MOSFET新增项目定点超10个,新增了5家进入量产阶段的汽车客户;国内首条8英寸SiC产线已实现批量量产,关键性能指标业界领先;汽车业务从单器件衍生逐步提升到系统解决方案,为动力域、底盘域等五大领域提供一站式芯片系统代工解决方案,上半年,已导入客户10余家,覆盖多个产业头部企业,部分客户将于2025年下半年实现量产。
AI领域,(1)AI服务器、数据中心等应用方向:数据传输芯片进入量产;发布了第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台,获得关键客户导入;应用于 AI服务器和 AI加速卡的电源管理芯片已实现大规模量产;中国首个 55nm BCD集成 DrMOS芯片通过客户验证。(2)具身智能及其他:大规模应用于语音交互、姿态识别、运动捕捉、机械手抓取与操作、环境感知、导航定位等场景,AI眼镜用麦克风芯片、机器人用激光雷达芯片实现突破。(3)智能驾驶应用方向,全面扩展 MEMS代工服务在车载方向的应用,如 ADAS智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

消费领域,新一代高性能MEMS麦克风研发平台搭建完成,已完成产品送样,填补了国内技术 空白;高端手机、可穿戴电子产品、笔电等相关技术平台实现全面扩展;IPM平台产品完成空调和 洗衣机应用产品覆盖;PIM平台代工产品逐渐进入商用空调领域。 工控领域,开发了行业定制芯片,引领组串式光储功率市场;全新封装的工业变频模组进入 量产阶段,帮助客户提升系统可靠性和性价比,模组中采用公司自研微沟槽场截止技术芯片;建 立了完整的风光储产品系列,并完成头部客户送样定点。
(五)重组事项获注册批准,加速公司深度整合,助力碳化硅业务的快速发展 为保障可持续发展的竞争力,公司通过收购控股子公司少数股权,实现对子公司的全资控股,集中优势资源重点支持 SiC MOSFET等更高技术产品和业务的发展,强化核心竞争力。同时进一步管控整合8英寸硅基产能,充分发挥协同效应,深化公司在芯片系统代工领域的布局。

2025年7月18日,公司收到中国证券监督管理委员会出具的《关于同意芯联集成电路制造股份有限公司发行股份购买资产注册的批复》,加速推动公司深度整合的进程,也将助力碳化硅业务的快速发展。


(六)股权激励计划高效落地,构筑长期人才竞争优势
2025年上半年,公司向中高层管理人员、核心技术(业务)骨干等符合预留授予条件的354名激励对象授予2,291.60万股第二类限制性股票。

公司股权激励计划的积极进展,是公司人才战略和长期激励体系成功运行的有力证明。不仅有效保留和激励了核心骨干力量,增强了团队的凝聚力和战斗力,也为公司未来的持续创新和高质量发展奠定了坚实的人才基础。


非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
□适用 √不适用

报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、一站式芯片系统代工服务的商业模式
公司为客户提供从设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证到可靠性测试的一站式芯片和模组的代工服务,高效整合制造端与封测端的优势,切实解决芯片代工制造中的诸多痛点,有效提升了产品的安全性与可靠性,大幅缩短了产品从制造到封装测试的周期,确保产品交付的准时性,也让终端客户的责任划分更加清晰,显著降低客户的显性和隐性成本。

同时,借助一站式芯片系统代工服务的模式,公司不断拓宽客户种类。除传统的设计公司外,公司也与诸多终端主机厂和系统公司进行了深度合作,实现了丰富、有纵深的客户布局。

2、多产业核心芯片及模组的业务生态布局
公司坚持自主研发,从功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向出发,持续研发应用于AI、新能源汽车、工业控制、高端消费领域所需要产品上的先进工艺及技术,为客户提供多样化的晶圆代工和封装测试等系统方案。

公司不断利用自身技术优势,持续开发产品附加值较高的技术平台并加大应用推广。报告期内,公司加强AI新兴应用领域的研发和工艺平台的开发,开发应用于AI服务器电源、数据中心、机器人等相关产品,并已获得重大突破。

同时,在模组方面,公司产品系列完整,广泛应用于新能源汽车、光伏风电、智能电网及其他变频领域,和国内外先进终端紧密结合,技术水平不断提升。随着终端市场的快速发展和行业技术的迭代更新,公司产品结构不断升级,产品种类快速拓展,业务生态模式也更加灵活。

3、技术研发水平业内领先
公司坚持自主研发的路线,重视研发体系建设,在“市场+技术”双轮驱动的发展战略下,持续研发先进的工艺及技术,提供多样化的晶圆代工和封装测试等系统代工方案。

公司汇聚了一支技术实力深厚、经验丰富的研发团队,其中团队核心成员均是在行业内深耕数十年的资深研发技术人员,其专业能力和创新能力,为公司带来了源源不断的技术突破和创新发展,成为了公司持续进步和行业领先的重要保证。

公司持续保持高额的研发投入,积极推动科技创新,全力促进成果转化。报告期内,公司研发投入9.64亿元,占营业收入27.59%。

4、全生命周期的供应商管理体系及多元化的供应链建设
公司制定并实施了符合车规级标准的供应商管理准入体系,构建了供应商绩效评估体系,从而在整个供应商生命周期内,包括质量改进、市场份额分配、以及升降级制度等方面,实现了全面的供应商管理。

公司秉持对供应链多元化和国内外双循环机制构建的高度重视,已在关键业务领域与国内外主流供应商建立了紧密的战略合作关系,共同应对市场变化和策略调整,确保公司能够长期稳健发展。公司通过不断推进直接材料和关键零部件的多元化项目,其多元化比例已处于国内领先水平。此外,通过与核心战略供应商的深度协作,公司获得了高优先级的服务和具有成本竞争力的长期合作方案,为公司的持续发展提供了坚实保障。

5、拥有数字化、车规级智慧工厂
公司是目前国内少数提供车规级芯片代工的企业之一。车规级芯片面临着复杂的使用环境和应用工况,对产品的安全性、可靠性、外部环境兼容性、使用寿命等方面的要求相比工业级和消费级芯片更为严格。因此,车规级芯片制造门槛高,产业化周期长,极其考验代工厂的技术研发能力和质量管理能力。公司的车规级智慧工厂在提高生产效率、保证产品质量以及降低运营成本方面发挥着重要的作用。

公司已攻克各种可靠性、安全性的技术难题,建立了从研发到大规模量产的全流程车规级质量管理体系,通过了ISO9001(质量管理体系)、IATF16949(汽车质量管理体系)等一系列国际质量管理体系认证,以及ISO26262(道路车辆功能安全体系)体系认证。公司的车规级工厂遵循严格的质量管理体系标准,并引入 AI 辅助缺陷判断等先进的质量管理工具和方法进一步提升质量水平,预防潜在的质量风险。通过深化全流程质量管理,产品质量具有卓越的稳定性和可靠性,从而获得更多客户定点。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

(三) 核心技术与研发进展
1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司确立了功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向,在新能源汽车,风光储,电网和水利工程、数据中心等新基建项目,高端消费领域所需要的产品上,持续研发先进的工艺及技术。

公司产品方向主要包括 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 、BCD为主的功率半导体,MEMS为主的传感信号链,以及功率相关的模组封装等。公司坚持走核心技术自主研发的道路,以追求极致产品性能为目标。核心技术及其先进性如下:

序号产品类 别核心技术名 称技术/产品特点技术先进性技术来源
1功率工 艺技术功率IGBT工 艺技术1) 覆盖主流第4代-第7代IGBT技术代系,全电压范围 650V~6500V 2) 应用于车载、家电及工业新能源、工控等市场 3) 超高压器件国内领先自主研发
  功率MOSFET 工艺技术1) 芯片技术先进且全面,覆盖电池管理,功率电源、汽 车电子等市场 2) 低RSP,低导通电阻、低开关损耗等性能,实现高功 率密度,高效率和高可靠性价值 3) 支持客制化集成国内领先自主研发
  功率SiC工 艺技术1)广泛应用于车载主驱大功率逆变模组 2)量产平台的高良品率、优秀的参数一致性 3)低RSP,低导通电阻、低开关损耗等性能,实现高功 率密度,高效率和高可靠性价值 4) 优异的器件高短路能力 5) 支持多样金属膜层,满足不同封装需求国内领先自主研发
2功率封 装技术高功率 IGBT/SiC 功率模组 封装技术使用先进的封装技术提高产品可靠性、模块能量损耗低 、散热能力强、高功率密度、适应高温高湿等恶劣环境国际领先自主研发
3BCD工艺 技术高压集成 BCD工艺技 术1) 覆盖 0.35um-0.18μm 的技术节点车规G0高压平台 2) 支持超大范围的工作电压 5V-650V 3) 国内稀缺的深沟槽隔离先进技术国内领先自主研发
  高功率BCD工 艺技术1) 技术创新,卓越的过电流能力和快速开关能力,满 足高算力服务器应用 2) 具有竞争力的器件面积,降本优势明显,满足客户 差异化产品需求 3) 高可靠性国际领先自主研发
  SOI BCD工艺 技术1) SoC的高压BCD工艺平台,实现系统集成 2) 高可靠性车规G0高压平台国内领先自主研发
  高边开关工 艺平台工艺 技术1) 驱动+开关单芯片集成技术平台,优化成本,简化系 统方案 2) 提供更好的电路保护和故障检测功能国内领先自主研发
  数模混合嵌 入式控制芯 片制造平台 工艺技术车规G0数模和控制集成的工艺模拟工艺结合全球公认的 高性能高可靠性闪存国内领先自主研发 结合SST 闪存技术 转让
4MEMS工 艺技术麦克风 MEMS 工艺技术1)信噪比覆盖58dB~72dB 2)应用覆盖全面,包含国内外高端手机、TWS耳机、消 费类电子以及车载麦克风等应用国际领先自主研发
  惯性传感 器技术1) 具备完整的工艺平台,包含加速度计、陀螺仪、以 及IMU 2) 产品主要应用于消费类手机、TWS耳机,工业级以及 车载惯性导航、底盘控制、气囊等领域国内领先自主研发
  压力工艺 技术1) 具备完整的工艺平台,满足不同量程的压力传感器 2) 应用覆盖全面,车载应用广泛,如油压、尾气检测 等国内领先自主研发
  MEMS微振 镜技术1) 平台成熟完整,工艺支持各种不同尺寸的扫描镜 2) 应用于车载激光雷达,工业级应用、数据中心光模 块等领域国际领先自主研发
  8英寸射频 滤波器工 艺技术拥有滤波器全套工艺技术,包含高掺杂AlN技术的突破 等国内领先自主研发
  VCSEL激光 器技术1) GaAs基VCSEL激光器工艺平台完整 2) 应用领域广泛,如消费类电子、扫地机器人、车 载激光雷达、数据中心光模块等国内先进自主研发


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2、 报告期内获得的研发成果
2025 年上半年,公司继续加大研发投入,引进高端技术人才,不断进行技术迭代,在功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向持续取得重大突破,市场应用领域不断拓展。

(1)车载应用方面:
功率器件领域,先进 SiC芯片及模块规模量产,工艺平台实现了 650V到 3300V系列的全面布局,掌握核心先进制造工艺,产品关键指标均处于国内领先水平,大范围获得国内外主流车厂和 Tier1的定点,国内首条 8英寸 SiC产线已量产;新一代 IGBT产品,关键性能指标业界领先,良好的性价比助推公司进一步扩大市场占有率。

车载模拟 IC领域,已推出多个国内领先、全球先进的技术平台,填补了国内高压大功率数字模拟混合信号集成 IC的空白;高边智能开关芯片制造平台在客户端完成产品验证,同时正在开发下一代;高压 BCD SOI集成方案工艺平台获得重要车企定点。

(2)AI方面
AI 服务器、数据中心等应用方向:AI 服务器电源用的功率器件以及数据传输芯片已进入小规模试产;应用于 AI服务器和 AI加速卡的电源管理芯片已实现大规模量产;中国首个 55nm BCD集成 DrMOS 芯片通过客户验证,可实现更高密度电源管理方案,满足大电流开关;发布了第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台,获得关键客户导入。

具身智能及其他:大规模应用于语音交互、姿态识别、运动捕捉、机械手抓取与操作、环境感知、导航定位等广泛场景,AI眼镜用麦克风芯片、机器人用激光雷达芯片实现突破。

智能驾驶应用方向,全面扩展 MEMS代工服务在车载方向的应用,如 ADAS 智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

(3)高端消费方面:
手机以及可穿戴应用方向:公司传感器和锂电池保护芯片产品已经占据市场和技术领先位置,推出了高性能麦克风平台和新一代锂电池保护芯片平台;同时推出应用于消费领域的低压 40V BCD以及数模混合技术平台,实现规模量产,产品进入多个手机终端应用。

家电应用领域:公司推出智能功率模块(IPM)、PIM功率模组、各类单管等全系列空冰洗厨系统解决方案,已成功在家电客户大批量供货;公司提前布局 SiC和 GaN等第三代半导体在家电领域应用,为客户定制能效升级应对方案;通过持续技术升级和产品迭代,公司市场占有率大幅提升。

(4)工控应用方面:
公司面向大功率光伏和储能电站市场,已率先推出新一代使用高压碳化硅芯片的三电平功率模块,引领行业方向。

面向风电等大功率高可靠性的应用,推出新一代高结温,高压,高可靠性先进产品,与主要风电客户陆续展开合作。

面向传统工业变频市场,不断加大工业变频功率产品系列市场推广力度,推出使用最新一代IGBT芯片的全新封装产品,新型工业变频模块系列进入量产试产。

高压输配电和高压 SVG方面,4500V IGBT成功挂网应用,实现量产,支持配合水利工程等大基建项目的输配电和 SVG的配套建设。


报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利7731806230
实用新型专利4220314229
外观设计专利0087
软件著作权0000
其他01162
合计119521144468

3、 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入964,240,797.65869,266,540.8910.93
资本化研发投入---
研发投入合计964,240,797.65869,266,540.8910.93
研发投入总额占营业收入比例(%)27.5930.19减少2.60个百分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4、 在研项目情况
√适用 □不适用


序号项目名称进展或阶段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1BCD工艺技术研发完成 SOI BCD 平台开发,客户产品验证完 成工艺达到国际领先水平,实现 规模量产 第二代先进节点工 艺开发,提升客户产品竞争力国际领先应用于汽车BMS AFE和工业系 统集成芯片SoC方案
  90纳米BCD 50V-120V工艺平台开发多客户产品导入并验证完成国际领先应用于数模混合IC包括音频、 数字电源、DCDC、协议芯片和 电源管理芯片
  55纳米BCD平台开发完成,产品验证完成工艺达到国际领先水平,实现 规模量产国际领先应用于AI服务器多项电源和AI 加速卡和AI显卡
  180纳米中高压车规BCD45V-120V大规模 量产;性能提升的下一代工艺平台开发中工艺达到国际领先水平,性能 进一步提升国际领先用于消费电子、工业电源,汽 车等领域电源管理和信号链芯 片
23.0代SiC沟槽 MOSFET研发下一代SiC沟槽栅平台平台建设,基于 750V/1200V不同电压平台产品,产品完成 性能测试国际领先工艺技术开发成功, 具备规模化的晶圆制造能力国际领先应用于工控、新能源车的高可 靠性、高性能SiC MOSFET芯片
32.0代SiC平面 MOSFET研发第二代SiC MOSFET晶圆产品通过验证,客 户导入中性能和可靠性达到 国际领先 水平,具备规模化的晶圆量产 能力国际领先应用于工控、新能源车的高可 靠性、高性能SiC MOSFET芯片
4新一代沟槽型场截 止IGBT技术开发新一代沟槽型场截止IGBT技术完成开发, 650V~1700V全面导入,并实现大规模量 产,器件性能达到国际领先水平。芯片在电压650V到1,700V系 列,电流150A到500A系列的 全系列量产,性能达到国际领 先水平国际领先产品应用于新能源汽车电控/车 载充电机/车载空压机等
5塑封车载模块技术 研发第三代单面散热塑封模块实现开发并完成 头部客户送样单面塑封车载模块实现IGBT 和SIC模块量产,满足客户高 性能高可靠性的需求国际领先产品应用于新能源汽车电控
6灌封车载模块技术 研发新一代紧凑型高性能灌封模块完成客户导 入和量产,产品覆盖70KW 到200KW主流 功率段灌封模块实现自主研发+量 产,引领行业技术方向国际领先产品应用于新能源汽车电控
7灌封工业光伏模块 技术研发建立完整的风光储产品系列,并完成头部客 户送样定点完善风光储功率产品系列,并 进入量产国际领先光伏/储能/风电变流器
8MCU平台技术研发车规G0 180纳米BCD嵌入式闪存工艺平台 多个客户导入,产品验证完成并进入量产提供低功耗、高性能及高可靠 性的车规MCU工艺平台,性能 提升和降本方案持续开发国内领先广泛应用于车规和工业电机驱 动产品
  55纳米嵌入式闪存工艺平台开发完成,满 足车规要求,客户产品导入   
    国内领先应用于IOT和安全芯片
9SiC MOSFET技术研 发8英寸SiC MOSFET平台完成模组可靠性验 证,通过客户的整机验证完成8英寸量产,性能达到国 际同类厂商水平,实现高性能 和低成本的芯片完成验证国内领先应用于工控、新能源车的高可 靠性、高性能SiC MOSFET芯片
10高质量语音识别和 音频捕获麦克风技 术研发新一代高性能MEMS麦克风研发平台搭建完 成,产品送样完成研发超高性能MEMS麦克风芯 片,填补国内空白国内领先应用于手机、可穿戴、智能语 音交互等产品
11车规级惯性IMU器 件研发第二代惯性传感器平台搭建完成,产品送 样验证中研发高性能车载惯性传感器芯 片,填补国内空白国内领先应用于车载导航,无人机等产 品
12MEMS mirror光学 传感器工艺平台开 发搭建MEMS光学平台,产品送样验证中研发AI数据中心用传输芯 片,填补国内空白国内领先应用于AI数据中心传输芯片等
13IPM(SSC)封装工 程技术研发完成全系列多规格产品开发,部分产品在 家电头部客户进入量产性能达到国际同类厂商水平, 部分产品进入量产国内领先白色家电空冰洗、厨电、变频 器、伺服等领域
14功率GaN技术研发产线通线,平台工艺验证完成完成工艺平台搭建, 产品覆盖 高中低压, 性能达到国际同类 厂商水平国内领先应用于消费电子、数据中心,AI 服务器电源,新能源汽车等
1512寸超结MOSFET 技术研发多次外延超结新一代MOSFET平台开发完 成,多家客户导入开发产品研发最新一代高功率超结 MOSFET,性能成本优化国内领先应用于消费LED、充电桩、服务 器、光伏、车载等的高可靠 性、高性能超结MOSFET芯片
(未完)
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