仕佳光子(688313):河南仕佳光子科技股份有限公司与华泰联合证券有限责任公司关于河南仕佳光子科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复
原标题:仕佳光子:河南仕佳光子科技股份有限公司与华泰联合证券有限责任公司关于河南仕佳光子科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复 河南仕佳光子科技股份有限公司 与 华泰联合证券有限责任公司 关于河南仕佳光子科技股份有限公司 向特定对象发行股票申请文件的 审核问询函的回复 保荐机构(主承销商) (深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路 128号前海深港基金小镇 B7栋 401) 上海证券交易所: 根据贵所于 2026年 9月 29日出具的《关于河南仕佳光子科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》(上证科审(再融资)〔2026〕230号)(以下简称“问询函”)的相关要求,河南仕佳光子科技股份有限公司(以下简称“公司”、“上市公司”、“发行人”或“仕佳光子”)与华泰联合证券有限责任公司(以下简称“保荐人”)、上海市锦天城律师事务所(以下简称“律师”)、致同会计师事务所(特殊普通合伙)(以下简称“会计师”)等相关方对问询函所列问题进行了核查,对申请材料进行了修改、补充和说明。现对问询函的落实和募集说明书的修改情况逐条书面回复,并提交贵所,请予审核。 说明: 1、如无特别说明,本回复报告中使用的简称或名词释义与《河南仕佳光子科技股份有限公司 2026年度向特定对象发行 A股股票募集说明书(申报稿)》(以下简称“募集说明书”)一致。涉及募集说明书补充披露或修改的内容已在募集说明书及本回复报告中以楷体加粗方式列示。 2、本回复部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异,均因计算过程中的四舍五入所形成。 3、本回复报告的字体说明如下:
目 录 1、关于本次募投项目.................................................................................................. 4 2、关于公司业务与经营情况.................................................................................... 91 1、关于本次募投项目 根据申报材料和公开资料,1)公司本次发行拟募集资金总额不超过 280,000万元,拟用于高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目、连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目、高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目和补充流动资金项目。2)公司披露公告称拟投资建设高速光芯片与器件开发及产业化项目,项目计划投资金额不超过 12.65亿元(以实际投入为准),资金来源为公司的自有及自筹资金。 请发行人说明:(1)本次募投项目的具体建设内容和主要产品,相关产品在报告期内经营及收入情况,是否涉及新产品、新技术,与现有业务的相关性、协同性,是否已完成中试或达到同等状态,是否属于投向主业和科技创新领域;结合发行人技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备等情况,说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性;(2)分析本次各项目与公司拟投资建设的高速光芯片与器件开发及产业化项目在具体生产产品、核心技术与工艺、应用领域、下游客户等的区别与联系,是否存在重复建设;(3)结合本次募投项目拟生产产品的现有产能及产能利用率、产销率、下游需求情况、新兴应用场景发展情况、同行业公司扩产情况、下游客户的产品导入和认证具体过程及进展、本募各产品在手订单或意向订单等情况,说明本次募投项目的必要性、新增产能规模合理性,募投项目的产能消化是否存在重大不确定性;(4)本次募投项目实施新增关联交易的具体内容及必要性,定价机制及公允性,相关决策程序、信息披露是否合规,是否违反控股股东及实际控制人已作出的规范和减少关联交易的承诺;(5)本次各募投项目的具体构成和测算依据,相关单价或单位产能投资比与公司类似项目或同行业公司可比项目是否可比、公允;结合本次募投项目建设期、产能利用率、产销情况、价格变动趋势、单价及成本等,分析尚未大规模量产产品主要参数的确定依据,说明本项目内部收益率、毛利率、投资回收期等指标测算是否谨慎、合理;(6)分析本次募投项目实施新增折旧摊销对公司经营业绩的具体影响,相关风险揭示是否充分;(7)结合公司现有资产规模、资金余额、未来资金流入及流出、各项资本性支出等,说明本次融资规模合理性。 请保荐机构对上述问题进行核查并发表明确意见。保荐机构及发行人律师根据《监管规则适用指引——发行类第 6号》第 2条对问题(4)进行核查并发表明确意见。请保荐机构及申报会计师根据《证券期货法律适用意见第 18号》第 5条、《监管规则适用指引—发行类第 7号》第 5条对问题(5)进行核查并发表明确意见。 回复: 一、发行人说明 (一)本次募投项目的具体建设内容和主要产品,相关产品在报告期内经营及收入情况,是否涉及新产品、新技术,与现有业务的相关性、协同性,是否已完成中试或达到同等状态,是否属于投向主业和科技创新领域;结合发行人技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备等情况,说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性 1、本次募投项目的具体建设内容和主要产品 公司本次发行拟募集资金总额不超过 280,000.00万元(含本数),扣除发行费用后拟用于以下项目: 单位:万元
(1)高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目 1)项目具体建设内容 本项目实施主体为河南仕佳光子科技股份有限公司,建设地点位于河南省鹤壁市淇滨区延河路 201号,建设周期为 3年。项目总投资金额 76,899.14万元,投资内容包括场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目 主要用于提升公司高速 AWG芯片及光互连组件的生产制造、封装耦合、检测筛 选及可靠性验证能力。 2)项目主要产品情况 本项目所生产的产品包括晶圆芯片(自用于生产 AWG组件)、AWG组件、 FAU组件、MT-FA组件,产品功能和应用环节介绍如下: ①AWG组件 AWG(阵列波导光栅,Arrayed Waveguide Grating)是一种基于平面光波导 技术制造的光学器件,基本结构包括由输入波导、输入星形耦合器(自由传输区 FPR)、等差阵列波导、输出星形耦合器(自由传输区 FPR)及输出波导五大部 分构成。AWG属于无源光器件中波分复用器(WDM)的一种,其工作原理是 利用光在波导阵列中传播产生的相位差,通过干涉效应将不同波长的光信号在空 间上分离或合并,从而实现分波与合波功能。 AWG组件结构示意图 本项目所生产的 AWG组件主要应用领域为 400G/800G/1.6T及更高速率数据中心光模块、相干光模块、光引擎、波分复用(WDM)传输设备、光交换设备,重点面向 AI数据中心、智算集群互连等场景,下游客户主要为光模块厂商。 ②FAU组件 FAU(光纤阵列单元,Fiber Array Unit)是通过高精度 V槽基片或硅基结构 将多根光纤精密固定封装的光无源核心器件,在光模块、硅光芯片、光引擎及光 学共封装(CPO)中承担光通道物理载体、光路耦合接口与空间定位等关键作用, FAU组件结构示意图如下: 随着高速光互连向更高通道密度和更高集成度发展,光芯片与光纤之间的连接对阵列精度、耦合损耗及批量一致性提出了更高要求。FAU通过对多根光纤进行精密排列和固定,实现多通道光路的定位与耦合,能够适配硅光模块、光引擎以及 NPO、CPO等场景的光连接需求。与单根光纤对接相比,FAU将分散光纤阵列化,具有多通道高密度、微米级高精度、低插入损耗、长期高可靠性等核心优势。 本项目 FAU组件与公司现有 MT-FA产品均依托光纤阵列及精密耦合技术。 MT-FA主要由 MT插芯与光纤阵列部分构成,主要应用于高速光模块;FAU组件重点面向 NPO、CPO等场景,对通道密度、加工及耦合精度提出了进一步要求。两者在光纤处理、阵列组装及检测等方面具有工艺联系,部分设备和技术参数可以借鉴或共用,但具体结构、工艺环节和客户验证要求存在一定差异。 本项目所生产的 FAU组件应用领域为 400G/800G/1.6T及更高速率光模块、硅光模块、光引擎、光交换设备等产品,重点面向 NPO(近封装光学)、CPO(共封装光学)等高速光互连架构,下游客户主要为光模块客户。 ③MT-FA组件 MT-FA(多纤终端光纤阵列)是高速并行光模块中的关键无源光器件,通 常由标准的 MT插芯和精密加工的光纤阵列单元(FAU)两部分构成,其本质是 光模块内部的光路“转换器”和“桥梁”,用于实现并行光纤与光子集成电路(PIC) 等光学元件间的高精度对准和高效耦合。MT-FA组件一端的标准 MT插芯,主 要用于与光模块外部的 MPO连接器进行快速、可靠的对接,MT-FA组件结构示 意图如下: 本项目所生产的MT-FA组件应用领域为400G/800G/1.6T及更高速率光模块、硅光模块、硅光芯片、光引擎,重点面向高速光模块,下游客户主要为光模块客户。 (2)连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目 1)项目具体建设内容 本项目实施主体为河南仕佳光子科技股份有限公司,建设地点位于河南省鹤壁市淇滨区延河路 201号,建设周期为 3年,总投资金额 145,611.41万元,投资内容包括场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目建成后,将提升公司高功率激光器芯片等产品的生产制造、封装测试及可靠性验证能力,满足高速光模块、硅光、NPO/CPO外置光源等应用场景对高功率、高可靠 光源产品的需求。 2)项目主要产品情况 本项目主要生产面向硅光及高速光互连应用的高功率 CW DFB激光器芯片 及 COC产品,主要型号包括 100mW CW DFB激光器芯片和 400mW CW DFB COC,两大类产品采用同材料体系、共基础工序。其中,400mW CW DFB COC 生产线为柔性产线,可结合市场需求向下兼容 70mW、100mW、150mW等中低 功率 CW DFB产品,产品功能和应用环节介绍如下: CW激光器(连续波激光器,Continuous Wave Laser)是一种输出连续不间 断光束、功率相对稳定的激光器。器件一般采用 III-V族半导体异质结多层外延 结构;正向注入电流后,电子与空穴被注入有源区并形成粒子数反转。载流子复 合过程释放光子,光子在 DFB光学谐振腔内往复反馈,实现受激辐射光放大。 当注入正向电流高于阈值电流时,器件便可稳定输出激光,激光器结构示意图如 下: 与脉冲激光器不同,CW激光器的输出功率不随时间发生剧烈的周期性变化,具有低噪声、窄线宽、相干长度长、平均功率稳定等核心特性,既可作为硅光集成、高速光通信系统的基准光源,也可用于精密光谱检测、量子精密测量、金属连续焊接切割、医疗诊疗与光学干涉实验等场景。 激光器功能实现有赖于作为核心的激光器芯片。在光通信领域,随着行业持续地向高数据速率迭代升级,以及硅光技术(SiPh)、NPO/CPO等新一代产品及技术的涌现,对激光器芯片数据速率、功率等方面的性能要求也持续增加,高性能 CW激光器芯片作为下一代高速光模块方案之一,重要性也在不断提高。 在硅光解决方案中,CW激光器芯片主要作为外置/异质集成光源,与硅光调制器配合使用,实现硅光光模块产品的光电信号转换与调制功能。 本项目所生产的 CW激光器芯片及器件应用领域为高速算力光互连、电信骨干承载网络、宽带接入场景、新兴光电等领域,下游客户主要为光模块厂商、硅光集成厂商、通信主设备厂商等。 (3)高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目 1)项目具体建设内容 本项目实施主体为公司全资子公司河南仕佳通信科技有限公司,建设地点位于河南省鹤壁市,建设周期为 3年,总投资金额 17,154.96万元,投资内容包括场地投入、设备购置及安装、基本预备费、铺底流动资金等。项目拟通过租赁厂房、新增标准化生产线、引进自动化/半自动化设备等一系列措施,扩大公司MPO、MMC系列产品的产能规模,以满足下游客户持续增长的订单需求。 2)项目主要产品情况 本项目所生产的产品包括 MPO连接器和 MMC连接器,产品功能和应用环节介绍如下: 光纤连接器是一种用于实现光纤之间或光纤与设备之间可重复插拔连接的光无源器件,其核心功能是通过精密的机械对准结构,使光纤的纤芯精准对接,从而让光信号能以极低的插入损耗和较高的回波损耗完成传输。光纤连接器通常由插针体、套筒、外壳及尾套等部件构成,依靠陶瓷插针的高精度内孔与对准套筒来保证微米级的纤芯耦合。作为广泛构建灵活、模块化光链路不可或缺的基础元件,光纤连接器被应用于光纤通信网络、数据中心、光纤传感与测量设备中。 光纤连接器结构示意图如下: 按照接口类型与应用场景,光纤连接器可分为常规光纤连接器与高密度光纤连接器两大类。其中,常规光纤连接器多采用单工/双工光纤连接器,以 LC(小型化光纤连接器)、SC(标准方形光纤连接器)等接口为主,具备部署灵活、通用性强、成本适中的优势,广泛应用于电信机房、基站、光纤接入(FTTx)及企业网络等传统光通信场景;高密度光纤连接器以多芯光纤连接器(包括MTP?/MPO)以及下一代超小型封装形式(VSFF)连接器(MMC)为代表,可在单一接口内实现多通道光纤并行传输,具有集成度高、占用空间小、传输容量大等特点,能够有效适配数据中心高密度布线与 AI算力集群高速互连需求。因此,高密度光纤连接器是当前光连接领域的核心升级方向。 本项目所生产的 MPO/MMC连接器应用领域为数据中心高速互联网络、电信骨干网、城域网与接入网、5G前传/中传/回传承载网、企业级局域网及安防监控等各类光纤传输链路,重点面向 AIDC(人工智能数据中心)、AI集群及下一代数据中心,下游客户主要为全球主要布线厂商。 2、相关产品在报告期内经营及收入情况 (1)高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目 本项目主要产品包括 AWG组件、FAU组件和 MT-FA组件,其中 AWG组 件系公司核心产品之一,MT-FA组件、FAU组件系公司平行光组件业务的重要产品。报告期内,公司 AWG组件和平行光组件业务经营情况良好。其中,公司CWDM AWG和 LAN WDM AWG组件已批量应用于主流光模块企业,DWDM AWG组件亦已成功导入国内外主流设备商供应链并实现规模化量产;适配 800G、1.6T高速光模块的 MT-FA部分产品已实现批量商用;面向 CPO先进封装场景的高通道 FAU产品已达成小批量出货。 报告期内,公司相关产品收入情况具体如下: 单位:万元
本次募投项目与现有业务的区别与联系,涉及新产品、新技术的分析如下:
报告期内,AWG组件、MT-FA组件及 MPO/MMC连接器已具备规模化产 销基础,上述募投产品与现有业务在产品类型、主要工艺、应用领域及客户类型方面具有较强一致性,本次募投主要为提升上述产品的产能及自动化水平,不涉及新产品、新技术领域。 报告期内,公司 FAU组件已实现小批量出货,该产品依托公司现有 MT-FA产品在光纤处理、阵列组装、研磨及检测等方面的工艺基础,进一步提高通道密度和加工、耦合精度,以满足近封装光学(NPO)、共封装光学(CPO)等高速光互连场景市场需求;公司现有成熟的 2.5G/10G/25G DFB产品主要服务于宽带接入等光通信场景,本次募投产品 100mW CW DFB激光器芯片及 400mW CW DFB COC产品在现有成熟产品基础上,进一步面向硅光模块、NPO/CPO等高速光互连场景应用,提升输出功率及相关性能。故 FAU组件、100mW CW DFB激光器芯片、400mW CW DFB COC等募投产品属于对现有产品和技术的迭代升级。 4、与现有业务的相关性、协同性 本次募投产品与现有产品的比较,以及与现有业务的相关性、协同性分析如下: (1)高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目 1)本项目与公司现有业务的比较 ①晶圆芯片 本次募投项目的晶圆芯片产品主要自用于生产公司 AWG组件,其与公司现有业务的比较情况如下:
本项目主要产品包括晶圆芯片(自用于生产 AWG组件)、AWG组件、FAU组件、MT-FA组件,属于公司现有无源光芯片及组件业务的扩产和升级,上述产品重点面向高速光模块、数据中心互联、骨干网、城域网、硅光及 NPO/CPO等应用场景,与公司现有业务应用领域、客户类型不存在明显差异。 本项目中晶圆芯片、AWG组件及 MT-FA组件延续现有产品的原材料体系和主要生产工艺,在现有业务的生产基础上增加产能、提升自动化水平;FAU组件依托公司现有 MT-FA产品在光纤处理、阵列组装、研磨及检测等方面的工艺基础,进一步提高通道密度和加工、耦合精度,以满足近封装光学(NPO)、共封装光学(CPO)等高速光互连场景市场需求。本项目涉及的 AWG组件、MT-FA组件已有规模化产销基础,应用于 CPO的高通道 FAU产品已实现小批量出货。 本项目投资主要用于场地投入、设备购置及安装、基本预备费和铺底流动资金,通过增加芯片加工、精密组装、耦合和检测等环节能力,提升 AWG芯片、FAU组件、MT-FA组件等无源光芯片及光互连组件的生产制造、封装耦合、检测筛选及可靠性验证能力,进一步增强公司在高端无源光器件领域的规模化供给能力,本项目相关产品是公司结合下游市场需求对自身“无源芯片-无源组件-无源智能模块”产品体系的完善和升级,与现有业务具有明确的相关性、协同性。 (2)连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目 1)本项目与公司现有业务的比较 本项目主要产品包括 100mW CW DFB激光器芯片和 400mW CW DFB COC产品,其功能主要为硅光模块、NPO/CPO等提供连续激光光源,该等产品均是在公司现有 2.5G/10G/25G DFB激光器芯片基础上进行的产品升级迭代,其与公司现有业务的比较情况如下:
本项目主要产品为 100mW CW DFB激光器芯片、400mW CW DFB COC等 有源光芯片及封装产品,该等产品是在公司既有 DFB激光器芯片及器件业务基础上,结合高速硅光模块及高功率光源需求,进行的产品和技术迭代升级,重点应用于高速光模块、硅光模块、NPO/CPO外置光源等领域,是公司落实“无源+有源”双平台战略、推进光电集成方向布局的重要举措。 本项目在磷化铟衬底、材料体系,以及外延生长、光刻、刻蚀、镀膜、测试等主要工艺方面具有延续性,并针对连续波、高输出功率及 COC封装要求完善相关设计、制造、封装及测试工艺。公司现有 DFB产品主要服务于宽带接入等光通信场景,本项目产品进一步面向硅光模块、NPO/CPO等高速光互连场景应用,提升输出功率及相关性能,延续公司有源光芯片作为光通信核心光源的产品定位。本项目涉及的 100mW产品已批量供货,400mW COC处于小批量出货阶段。 本项目投资主要用于场地投入、设备购置及安装、基本预备费和铺底流动资金,以支撑芯片制造、封装测试及可靠性验证等方面的能力建设,属于对公司现有 DFB激光器芯片及器件业务的迭代升级。项目实施完成后将有助于提升公司高功率、高可靠有源光芯片的产业化能力,与公司既有无源 AWG、MT-FA、FAU等产品形成协同,满足下游客户的多样化、关联性产品采购需求,进一步加强与客户的合作粘性,提升公司在高速光模块、硅光模块、NPO/CPO产业链中的综合解决方案能力及市场竞争力,故本项目与公司现有业务具备明确的相关性和协同性。 (3)高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目 1)本项目与公司现有业务的比较 ①MPO连接器 本次募投项目的 MPO连接器产品系公司现有主营业务产品,其主要功能为在一个可插拔接口中实现多芯光纤连接,与公司现有业务的比较情况如下:
本次募投项目的 MMC连接器产品系公司现有主营业务产品,其主要功能为以更紧凑接口提供高密度多芯光纤连接,与公司现有业务的比较情况如下:
本项目主要产品为 MPO连接器及 MMC连接器,属于公司现有光纤连接器业务的扩产及自动化升级,重点面向数据中心、AI算力集群、高速光模块及高密度光连接等应用场景,以满足其对于高密度、高速率、低损耗光互连产品的市场需求。 本项目 MPO、MMC连接器产品已具有规模化产销基础,本项目沿用插芯、散件、光缆、分支器等主要原材料及端接、研磨等主要工艺,应用领域仍以数据中心及光通信网络为主,下游客户主要为全球布线厂商,与现有业务在产品类型、主要工艺、应用领域及客户类型方面具有较强一致性。 本项目投资主要用于场地租赁及装修、设备购置及安装、基本预备费和铺底流动资金,通过租赁厂房、购置自动化设备及数字化系统以提升公司高密度光互连器件的制造能力和供货能力,并与公司的无源光器件业务形成协同,满足下游客户多样化、关联性产品的采购需求。同时,本项目产品所需的原材料包括线缆高分子材料及室内光缆,能够与公司现有的线缆高分子材料、室内光缆等业务板块形成“线缆材料-室内光缆-光纤连接器”的产业链协同优势,故本项目与现有业务具有明确的相关性、协同性。 5、是否已完成中试或达到同等状态 公司本次募投项目的相关产品已形成相应技术和生产基础,但不同产品、不同规格的产业化阶段存在差异,具体如下:
本次募投项目属于投向主业,是现有业务扩产及相关产品升级,具体分析如下: 1)高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目 本项目主要生产用于 AWG组件的晶圆芯片(自用于生产 AWG组件)、AWG组件、FAU组件及 MT-FA组件,属于公司现有无源光芯片及组件业务的扩产和升级。其中,晶圆芯片、AWG组件及 MT-FA组件延续现有产品的原材料体系和主要生产工艺,在既有生产基础上增加产能、提升自动化水平;FAU组件依托公司现有 MT-FA产品的光纤阵列及精密耦合技术,提高通道密度和加工、耦合精度,以满足近封装光学(NPO)、共封装光学(CPO)等高速光互连场景市场需求。 FAU与现有 MT-FA产品在光纤处理、阵列组装、研磨及检测等方面具有工艺联系,部分设备和技术参数可以借鉴或共用。公司已利用现有 MT-FA中试线开展 FAU小批量生产,2026年上半年,应用于 CPO的高通道 FAU产品已实现小批量出货。因此,本项目围绕既有无源光芯片及组件业务提升供给能力并开展产品升级,与现有业务具有直接的技术和生产联系。 2)连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目 本项目主要产品为 100mW CW DFB激光器芯片及 400mW CW DFB COC,属于公司既有DFB激光器芯片及器件业务的升级和延伸。公司已形成2.5G、10G、25G DFB等产品的研发和生产基础。本项目产品与既有 DFB产品在磷化铟衬底、材料体系,以及外延生长、光刻、刻蚀、镀膜、测试等主要工艺方面具有延续性,并结合连续波、高功率光源要求,增加或调整对接生长、光学镀膜及封装测试等工艺条件,具有既有技术平台和制造能力支撑。 应用方面,既有 DFB产品主要服务于宽带接入等光通信场景,本项目产品进一步面向硅光模块、NPO/CPO等高速光互连应用,提升输出功率及相关性能,延续公司有源光芯片作为光通信核心光源的产品定位。结合前述研发及产业化进展,100mW CW DFB产品已实现批量出货,400mW CW DFB COC已完成技术定型并实现小批量出货。本项目依托既有 DFB技术平台、制造能力及光通信客户基础实施,属于现有主业向高功率光源及相关应用领域的延伸。 3)高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目 本项目主要产品为 MPO连接器及 MMC连接器,属于公司现有光纤连接器业务的扩产及自动化升级。上述产品已具有规模化产销基础,本项目沿用插芯、散件、光缆、分支器等主要原材料及端接、研磨等主要工艺,应用领域仍以数据中心及光通信网络为主,下游客户主要为全球布线厂商。本项目通过新增生产及检测设备提升既有产品的生产能力和交付能力,与现有业务在产品类型、主要工艺、应用领域及客户类型方面具有较强一致性。 此外,本次拟使用募集资金 48,000.00万元补充流动资金,未超过募资总额的 30%,符合监管规定,主要用于满足公司扩大经营规模、拓展市场布局及迭代产品技术带来的资金需求,支持主营业务日常经营及持续发展,与上述产业化项目共同服务于公司的光通信主业。 综上所述,本次募集资金围绕发行人现有光通信主营业务开展,主要用于光芯片及器件业务的产能扩充、产品升级和应用拓展,并配套补充经营所需流动资金,属于投向现有主业及其延伸,符合募集资金主要投向主业的要求。 (2)是否属于投向科技创新领域 新一代信息技术产业是国家重点支持的战略性新兴产业,光通信网络、算力基础设施、数据中心集群、工业互联网、人工智能等领域的发展均离不开高速、高可靠的光通信核心器件支撑。近年来,国家持续推进数字中国、网络强国、“东数西算”、全国一体化算力网和新型信息基础设施建设,鼓励关键核心技术攻关和产业链自主可控,推动信息通信网络向高速率、大容量、低功耗、高可靠方向升级。 2023年 12月,国家发改委正式发布《产业结构调整指导目录(2024年本)》。 将“光电子器件等新型电子元器件制造”列为鼓励类;2025年 8月,工信部和国家市场监督管理总局联合发布《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》,提出“加大对高速光芯片、光电共封等领域的研发投入力度,推动光架构与现有电架构体系生态融合”;2026年 6月,工信部印发《人工智能+信息通信创新发展实施意见(2026—2028年)》,指出要“加强高端光电芯片和器件研发:加强高速光电芯片、高速转发/交换芯片、全光交换器件、光电共封装器件等技术和产品研发验证”;2026年 9月,工信部和国家发改委联合发布《电子信息制造业发展“十五五”规划》,要求“强化光产生、光处理、光传感、集成光芯片和微纳光学元件供给”和“加快高端数据通信、光通信、移动通信、卫星通信、新一代无线短距通信等技术和产品攻关”。光芯片及器件处于光通信产业链上游核心环节,具有技术壁垒高、研发周期长、工艺复杂、产业化难度大的特点。加快高端光芯片、光器件和光互连产品的研发及产业化能力建设,有利于提升我国高速光通信产业链供应能力和自主可控水平,符合国家产业政策导向和科技创新发展方向。 公司长期聚焦光通信核心芯片及器件领域,主营业务涵盖光芯片及器件、室内光缆、线缆高分子材料等板块,其中光芯片及器件业务是公司面向高速光通信、数据中心互联、AI算力基础设施、硅光及 NPO/CPO等新一代信息通信应用场景的重要业务方向。公司主营产品中的 AWG芯片、DFB激光器芯片、FAU、MT-FA、MPO/MMC等产品,属于高速光通信产业链中的关键基础器件,与国家重点支持的新一代信息技术、算力基础设施、光通信网络及核心光电子器件国产化方向高度契合。根据国家统计局 2017年公布的《国民经济行业分类(GB/T 4754-2017)》,公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”之“C3976光电子器件制造”根据国家统计局公布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司光芯片及器件业务属于“1新一代信息技术”之“1.2.1新型电子元器件及设备制造”之“3976光电子器件制造”。 本次募集资金投资项目包括高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目、连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目、高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目和补充流动资金项目。上述项目均围绕公司主营业务和核心技术方向展开,重点投向高速光通信核心芯片、光器件及光互连产品的产业化能力建设,属于国家鼓励发展的科技创新领域。 其中,高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目主要面向高速光模块、数据中心互联、骨干网、城域网、硅光及 CPO等应用场景,通过提升 AWG芯片、FAU、MT-FA等无源光芯片及光互连组件的生产制造、封装耦合、检测筛选及可靠性验证能力,进一步增强公司在高端无源光器件领域的规模化供给能力和批量交付能力。 连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目聚焦 100mW CW DFB激光器芯片、400mW CW DFB COC等有源光芯片及封装产品,主要应用于高速光模块、硅光模块、NPO/CPO外置光源等领域,是公司落实“无源+有源”双平台战略、推进光电集成方向布局的重要举措。项目建设有助于提升公司高功率、高可靠有源光芯片的产业化能力,进一步增强公司在高速光通信核心光源领域的技术实力和市场竞争力。 高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目主要围绕高密度、高速率、低损耗光互连需求开展建设,服务于数据中心、AI算力集群、高速光模块及高密度光连接等应用场景。项目实施有利于公司提升高密度光互连器件的制造能力和供货能力,完善公司在高速光通信及数据中心互连领域的产品布局。综上,本次募集资金投资项目紧密围绕公司主营业务开展,重点投向高速光通信、光芯片、光器件、光互连及光电集成等科技创新领域,符合公司科创板定位和主营业务发展方向。 同时,在技术创新方面,本次募投项目围绕高速 AWG芯片及光互连组件、CW DFB激光器芯片及 COC、高密度光互连器件等产品展开,相关产品对芯片设计、晶圆加工、精密封装、光学耦合、可靠性验证、自动化检测及质量控制等环节均提出较高要求。通过本次项目建设,公司将进一步完善研发、工艺、制造、测试及验证平台,提升关键技术产业化转化效率,为产品持续迭代和技术升级奠定基础。 在产品创新方面,本次募投项目将进一步完善公司在无源光芯片、有源光芯片、光互连组件及高密度连接器件领域的产品布局。随着 400G、800G、1.6T及更高速率光模块需求持续增长,硅光、NPO/CPO等新型技术路线加速演进,公司通过本次项目建设,能够更好地匹配下游客户对高速率、高密度、低功耗、高可靠光通信产品的需求。 在制造创新方面,本次募投项目将通过新增先进生产、封装、测试及可靠性验证设备,提升公司关键工序的自动化、智能化、精密化水平,增强生产过程的数据化、标准化和可追溯能力。项目实施有助于提高公司高端产品良率、质量一致性和批量交付稳定性,推动公司由技术研发优势进一步向规模化制造优势转化。 在产业链协同方面,本次募投项目的实施有助于提升公司高端光芯片、光器件及光互连产品的国产化供应能力,增强公司对下游高速光模块厂商、通信设备商、数据中心客户及系统集成商的综合服务能力。项目建设将进一步提升公司在高速光通信产业链中的参与深度和配套能力,有利于推动核心光电子器件自主可控和产业链协同发展。 综上所述,本次募投项目均围绕公司光芯片及器件主营业务和核心技术方向展开,重点投向高速光通信核心芯片、光器件及光互连等产品的产业化能力建设,属于国家政策支持和鼓励发展的科技创新领域。项目实施能够进一步强化公司“无源+有源”双平台建设,提升在光通信领域的芯片设计、晶圆加工、精密封装、光学耦合、可靠性验证及自动化检测能力,增强国产化供给和产业链协同,符合公司科创板定位和主营业务发展方向,属于投向科技创新领域的募集资金使用安排。 7、结合发行人技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备等情况,说明本次募投项目实施是否存在重大不确定性 (1)高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目 1)项目所处技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备情况
从技术层级来看,AWG组件、FAU组件、MT-FA组件等产品均属于光通 信领域的关键零部件,技术层级属于中高端水平。核心技术方面,公司已掌握从芯片到组件的全链条核心工艺,可保障核心环节和技术全链条自主可控。在晶圆芯片端,公司采用 PLC(平面光波导)技术,涉及半导体光刻、刻蚀、PECVD等核心前道工序,阵列波导间距控制达到亚微米级,是国内少数掌握高速 AWG芯片量产能力的厂商。在 AWG组件端,公司具备高精度自动耦合封装技术,核心芯片、V槽、适配器全链条自主可控。在 FAU组件端,公司已掌握高精度 V型槽加工、精密研磨抛光以及端面角度与芯间距精度控制等核心技术,并通过优化 V槽切割精度、组装和磨抛工艺,有效突破了 Pitch精度和外观缺陷等工艺难点。在 MT-FA组件端,公司已成熟掌握面向 800G/1.6T高密度光互连的多芯(8/12/16芯)MT插芯高精度组装及复杂研磨工艺。 从工艺良率及生产检测条件来看,项目所涉及的晶圆芯片(自用于 AWG组件生产)、AWG组件、FAU组件、MT-FA组件等产品良率表现稳健,均处于行业较高水平。公司已具备相应生产及检测条件,本次拟通过新增高精度自动化耦合、V型槽加工及多芯研磨等设备,进一步提升生产能力和自动化水平,FAU产品良率将稳步向更高水平爬坡。 从产业化进度及客户基础来看,公司 AWG组件既有产品及 MT-FA组件已实现批量出货,部分 AWG新规格产品处于小批量出货阶段;FAU组件已向相关客户实现小批量出货,并持续推进系列产品的客户送样验证。截至 2026年 10月 12日,公司 AWG芯片及组件、MT-FA组件在手订单较为充足,已有客户合作及订单基础能够为本项目实施提供支持。 从实施团队来看,公司构建了经验丰富、梯队合理的核心团队。晶圆芯片研发团队五十余人,核心成员具备多年半导体芯片研发与工艺经验;AWG组件产品拥有十余名专职封装工艺工程师及百余名熟练产线工人;FAU组件产品拥有丰富无源器件制造经验的百余人团队,核心工艺骨干稳定;MT-FA组件产品组建了三十余人的专项研发小组,具备丰富的高速光互连产品开发经验及材料学背景,量产团队百余人。 综上所述,公司已掌握本项目实施所需的关键工艺和核心技术,相关产品良率向好,产业化进度符合预期,实施团队核心成员经验丰富,扩产要素储备完备,同时具备良好的客户基础支撑,本次募投项目实施不存在重大不确定性。 (2)连续波(CW)激光器芯片及 COC产业化项目 1)项目所处技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备情况
从技术层级来看,100mW CW DFB激光器芯片、400mW CW DFB COC等 产品均属于光通信领域的关键零部件,技术层级属于中高端水平。核心技术方面,公司自 2018年起有源产线设备就已投入使用。历经多年发展,公司依托有源工艺平台,具备了从外延生长、工艺加工、芯片制作、高速封装到测试老化的完整有源工艺产线,DFB激光器芯片结构自主研发、外延工艺处于行业领先水平。 针对 100mW和 400mW CW DFB COC产品,公司均已完整掌握外延、晶圆、巴条、芯片、COC封装等关键工序工艺。目前公司 100mW CW DFB 激光器芯片已实现量产,工艺路线经批量生产充分验证,参数可固化、可复现;400mW CW DFB COC在 100mW成熟工艺基础上,已完成大功率器件及 COC封装环节的开发验证,形成了“芯片+COC”一体化工艺路线,具备由小批量交付转向规模化生产的技术基础。 从工艺良率及生产检测条件来看,100mW CW DFB激光器芯片、400mW CW DFB COC等产品良率表现稳健,均处于行业较高水平。100mW CW DFB激光器芯片方面,公司已通过客户验证并批量出货,量产批次良率经客户端批量应用验证稳定,良率水平已充分满足量产要求;400mW CW DFB COC方面,公司已建立相应的质量控制和可靠性检测流程,并结合小批量生产及出货持续优化工艺,400mW CW DFB COC良率指标稳定,满足规模化量产基本要求。公司已配置相应生产及检测设备,可开展性能、老化及环境可靠性检测,为项目实施提供支持。 从产业化进度及客户基础来看,公司 100mW CW DFB激光器芯片已通过客户验证,并向相关头部光模块厂商实现批量供货;400mW CW DFB COC已完成技术定型,取得部分客户的小批量订单并实现小批量出货,持续推进客户送样验证及导入。截至 2026年 10月 12日,公司 100mW CW DFB激光器芯片已有较为充足的在手订单及框架协议支撑,相关客户合作及订单基础能够为本项目实施提供支持。 从实施团队来看,公司构建了经验丰富、梯队合理的核心团队。目前公司有源事业部研发人员充足,研发人员涵盖光学、物理学、材料学、微电子与固体电子学等多个学科领域,前期已经参与公司 2.5G/10G/25G DFB激光器芯片产品的研发与量产工作,具备完整的研发经验。 综上所述,公司已掌握本项目实施所需的关键工艺和核心技术,相关产品良率稳定,研发进度符合预期,研发团队核心成员经验丰富,扩产要素储备完备,同时具备良好的客户基础支撑,本次募投项目实施不存在重大不确定性。 (3)高密度光互连器件(MPO/MMC)产能扩建项目 1)项目所处技术层级、工艺良率、研发进度、人员储备情况
产品体系及工艺基础方面,MPO、MMC连接器均为公司现有成熟产品,报告期内已具备规模化产销基础,公司在光纤连接器业务中积累了端面处理、精密研磨、组装及检验测试等工艺经验,形成了相应的标准化生产和质量控制流程。 本项目主要沿用现有产品的材料和工艺体系,通过新增标准化生产线及自动化、半自动化设备扩大产能,并提升工序效率和质量一致性,具备既有技术和生产经验支持。 技术人员及管理体系方面,公司已形成具有光纤连接器研发、制造及工艺优化经验的人员队伍,相关技术和工艺人员熟悉 MPO、MMC产品的生产及检测环节,可为新增设备导入、工艺参数调整、人员培训和试生产提供支持。同时,公司在排产、物料管理、流程控制、检测测试和质量追溯等方面形成了相应制度,并具有自动化、半自动化设备导入及产线升级经验,能够为本次扩产及生产方式升级提供人员和管理基础。 项目建设及设备配置方面,本项目拟通过租赁厂房、新增生产线及制造、检测设备,并配套数字化管理系统开展建设,与现有连接器生产及检测环节不存在明显差异。公司可结合既有产品工艺及设备使用经验,分阶段开展场地装修、设备安装调试、人员培训及试生产,逐步释放新增产能。 客户基础及销售渠道方面,公司 MPO、MMC产品已通过相关布线厂商认证并实现批量供货,本项目可依托既有客户合作及销售渠道开展市场推广和持续交付。截至 2026年 10月 12日,公司光纤连接器在手订单较为充足,相关产品交货周期较短,随着客户持续下单及公司滚动交付,在手订单更新较快,上述客户基础及销售渠道能够为新增产能消化提供良好支撑。 综上,本项目主要为现有成熟 MPO、MMC产品的产能扩充及自动化升级,已有工艺、人员、管理及销售渠道能够为项目建设和生产运营提供支持,新增设备及产线建设、产能释放及消化具有明确实施路径,本项目实施不存在重大不确定性。 (二)分析本次各项目与公司拟投资建设的高速光芯片与器件开发及产业化项目在具体生产产品、核心技术与工艺、应用领域、下游客户等的区别与联系,是否存在重复建设 1、本次各项目与公司拟投资建设的高速光芯片与器件开发及产业化项目在具体生产产品、核心技术与工艺、应用领域、下游客户等的区别与联系 高速光芯片与器件开发及产业化项目与本次募投项目在具体生产产品、核心技术与工艺、应用领域、下游客户等的区别与联系如下: (1)与高速 AWG芯片及光互连组件产能建设项目的比较
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