长鑫科技Q3高增扭亏 4F2服务器DRAM突破在即
近期机构研报指出,业绩高增主因AI算力爆发带动DRAM供不应求、价格持续上涨,叠加公司产能爬坡、工艺优化提升单位晶圆产出与利用率。研报认为,合肥二期与北京厂投产虽拉低归母净利环比增速(因少数股东损益增加),但夯实了长期规模优势。 研报指出,4F2 DRAM架构研发取得关键进展,预计2026年底推出面向服务器的DDR5 RDIMM新品,技术路径含自研VSG晶体管与混合键合,专利超300件。若顺利量产验证,将显著提升高端市场份额与定价能力。全球DRAM供需偏紧格局延续,涨价红利有望持续转化为利润弹性,支撑2026–2028年盈利预测大幅上调,对应PE仅16/10/6倍,维持“买入”评级。 中财网
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