AI算力升级引爆硅电容需求 颀中科技迎封装级替代机遇

时间：2026年10月16日 15:41:32 中财网

　　CFi.CN讯：数据显示，AI芯片功耗激增、瞬态电流变化加快，对封装内去耦电容提出高频低感、近die布置的严苛要求。硅电容凭借三维结构提升容值密度、ESL显著低于MLCC、高温与高偏压下容量更稳定等特性，正加速切入GPU/CPU/HBM供电网络及800G光模块AC耦合等关键环节。

　　
　　近期机构研报指出，全球硅电容市场高度集中，村田扩产、三星签1.56万亿韩元长单、ADI斥资15亿美元收购Empower，均印证下游验证落地提速。研报认为，颀中科技已实现硅电容中试量产，具备晶圆级封装协同优势，有望在AI先进封装国产替代中率先放量；英集芯处于研发阶段，短期贡献有限。

　　
　　研报指出，硅电容并非简单元器件升级，而是AI硬件架构演进下的底层供电重构。随着400G/800G光模块渗透和HBM3普及，硅电容从“可选”转向“必选”，技术壁垒与客户认证周期构成护城河，先发企业获益确定性增强。