空白掩膜版国产替代加速 聚和材料获日企产线落地
近期机构研报指出,制程缩进、多重曝光与先进封装三重驱动下,掩膜版层数与单价同步提升:130nm需约30层,28nm增至50层,14nm/10nm达60层;DUV-ArF基板需求迫切,日系厂商占据全球83%份额,出口管制强化国产替代紧迫性。 研报认为,2026—2027年是国内晶圆厂扩产与算力芯片迭代共振期,掩膜版量价齐升趋势明确。聚和材料切入DUV-ArF基板赛道,填补关键空白;清溢光电、路维光电等在PSM/OPC及28nm工艺上加速验证,国产替代正从‘能做’迈向‘量产+导入’关键阶段。 中财网
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