AI算力爆发倒逼供电升级 硅电容成GPU近芯供电新刚需

时间：2026年08月26日 09:01:41 中财网

　　CFi.CN讯：数据显示，硅电容采用半导体晶圆制程制造，厚度可低至0.1毫米以下，具备超低ESR/ESL和毫微秒级响应能力，直接贴合GPU/CPU或嵌入封装基板，专为千瓦级AI芯片瞬态供电设计。NVIDIA从GB200到Rubin架构，单板MLCC用量将从6500颗增至近12000颗，但MLCC主攻板级稳压，硅电容则卡位封装级与近芯片去耦这一高技术壁垒增量环节。

　　
　　近期机构研报指出，硅电容已在三星、英伟达供应链验证落地，覆盖Top-side、Land-side及Embedded三大贴装路径，其中后两者更适配先进封装趋势。研报认为，800G/1.6T光模块单颗需30–60颗硅电容，叠加AI芯片功耗攀升、电压下探至1V附近，对高频稳压能力要求激增，硅电容单颗价值量与渗透率双升。

　　
　　研报指出，硅电容不是替代MLCC，而是补足其无法覆盖的‘最后一毫米’供电缺口——这恰是AI服务器性能瓶颈所在。随着2.5D/3D封装普及，硅电容正从可选变为必选，产业链核心环节有望率先受益。