[中报]恒坤新材(688727):2026年半年度报告

时间：2026年08月26日 00:37:13 中财网

原标题:恒坤新材:2026年半年度报告

公司代码：688727 公司简称：恒坤新材






厦门恒坤新材料科技股份有限公司
2026年半年度报告








重要提示
本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。


公司全体董事出席董事会会议。


本半年度报告未经审计。


公司负责人易荣坤、主管会计工作负责人陈志明及会计机构负责人（会计主管人员）陈志明声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
本报告期拟不派发现金红利，不进行资本公积金转增股本，不送红股。


是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。


是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ........................................................................................................................................ 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................... 10
第四节 公司治理、环境和社会 ....................................................................................................... 33
第五节 重要事项............................................................................................................................... 35
第六节 股份变动及股东情况........................................................................................................... 61
第七节 债券相关情况....................................................................................................................... 67
第八节 财务报告............................................................................................................................... 68

备查文件目录	载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主 管人员）签名并盖章的公司半年度财务报表。
	载有公司法定代表人签字和公司盖章的半年度报告及摘要文件。
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司原件的正本及 公告原件。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
恒坤新材、公司、本 公司、发行人	指	厦门恒坤新材料科技股份有限公司
恒坤有限	指	厦门恒坤精密工业有限公司，系公司前身
控股股东、实际控制 人	指	易荣坤
福建泓光	指	福建泓光半导体材料有限公司，系公司的全资子公司
大连恒坤	指	大连恒坤新材料有限公司，系公司的全资子公司
安徽恒坤	指	安徽恒坤新材料科技有限公司，系公司的全资子公司
上海楚坤	指	楚坤（上海）新材料科技有限公司，系公司的全资子公司
香港恒坤	指	恒坤精密工业香港有限公司，系公司的全资子公司
泓坤微电子	指	泓坤微电子（厦门）有限公司，系公司的全资子公司
武汉恒坤	指	武汉恒坤新材料科技有限公司，系公司的全资子公司
福建恒晶	指	福建恒晶新材料科技有限公司，系公司的全资子公司
漳州链芯	指	漳州链芯半导体有限公司，系公司的全资子公司
司理可	指	福建司理可新材料有限公司，系公司的全资子公司
上海芯远	指	上海芯远精材新材料有限公司，系公司的全资子公司
恒坤创研	指	厦门恒坤新材创研有限公司，系公司的全资子公司
海南泓坤	指	泓坤（海南）新材料科技有限公司，系公司的全资子公司
厦门泓亘	指	厦门泓亘新材料科技有限公司，系公司的控股子公司
日本精容	指	精容株式会社，系公司的控股子公司
大晶信息	指	大晶信息化学品（徐州）有限公司，系公司的参股公司
上海八亿时空	指	上海八亿时空先进材料有限公司，系公司的参股公司
湖北三维	指	湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司，系公司的参股公司
祐尼三的	指	厦门祐尼三的新材料科技有限公司，系公司的参股公司
长存产投	指	长存产业投资基金（武汉）合伙企业（有限合伙），系公司的参股 企业
厦门神剑	指	厦门神剑投资合伙企业（有限合伙），系公司员工持股平台
兆莅恒	指	厦门兆莅恒投资合伙企业（有限合伙），系公司员工持股平台
晟临芯	指	厦门晟临芯股权投资合伙企业（有限合伙），系公司员工持股平台
晟临坤	指	厦门晟临坤投资合伙企业（有限合伙），系公司员工持股平台
恒众坤合	指	厦门恒众坤合投资合伙企业（有限合伙），系公司员工持股平台
股东会	指	厦门恒坤新材料科技股份有限公司股东会
董事会	指	厦门恒坤新材料科技股份有限公司董事会
《公司章程》	指	《厦门恒坤新材料科技股份有限公司章程》
财政部	指	中华人民共和国财政部
国家发改委	指	中华人民共和国国家发展和改革委员会
中国证监会、证监会	指	中国证券监督管理委员会
上交所、交易所	指	上海证券交易所
科创板	指	上海证券交易所科创板
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
招股说明书	指	《厦门恒坤新材料科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板 上市招股说明书》
引进业务	指	公司依靠对集成电路晶圆制造各类工艺的专业理解与技术积累，从 境外引进销售光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学
		品等集成电路关键材料
半导体	指	半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体 产品主要分为集成电路、分立器件、光电子器件及传感器四类。
集成电路、芯片	指	Integrated Circuit 的简称，指集成电路，通常也叫芯片（Chip），是 一种微型电子器件或部件。采用半导体制造工艺，把一个电路中所 需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及它们之间的连接导线全部 制作在一小块半导体晶片如硅片或介质基片上，然后焊接封装在一 个管壳内，成为具有所需电路功能的电子器件。
晶圆	指	晶圆指制造集成电路芯片的衬底（也叫基片）。由于其形状为圆形， 所以称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为 有特定电性功能的集成电路产品。按其直径主要分为 4英寸、5英 寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格。
衬底	指	具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的用于生长外延层的洁 净单晶薄片。
晶圆制造、芯片制造	指	通过一系列特定加工工艺，将晶圆加工制造成芯片的过程，晶圆制 造分为前道工艺和后道工艺。
晶圆厂	指	通过一系列特定加工工艺，在晶圆上加工制造半导体器件的生产厂 商。
技术节点、工艺制程、 工艺线宽	指	集成电路制造过程中，以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术工艺， 尺寸越小，工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造 出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间。
良率	指	完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量与整片晶圆上的有效芯 片的比值。晶圆良率越高，同一片晶圆上产出的好芯片数量就越多。
前道工艺、后道工艺	指	晶圆制造分为前道工艺和后道工艺，前道工艺主要包括晶圆清洗、 光刻、刻蚀、离子注入、扩散、薄膜沉积、研磨抛光、晶圆检测等； 后道工艺主要包括晶圆减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、 切晶成塑、测试等。
光刻工艺	指	利用光化学反应原理把事先制备在掩模板上的图形转印到一个衬底 上的过程，是集成电路晶圆制造的一道关键工艺。
薄膜沉积工艺	指	利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，通过气相沉积 （包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）以及原子气 相沉积（ALD）等）方式在衬底表面形成薄膜的过程，系集成电路 晶圆制造的重要工艺之一。
光刻材料	指	光刻工艺中用到的各类型高纯化学材料，包括 SOC（碳膜涂层）、 ARC（抗反射涂层）、光刻胶、Top Coating、稀释剂、冲洗液、显 影液等。
前驱体材料	指	携有目标元素，呈气态或易挥发液态或固态，具备化学热稳定性， 同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质；是集成电路制造 中薄膜沉积工艺中使用到的一种重要介质，用于形成符合半导体制 造要求的各类薄膜层的核心原材料。
电子特气	指	电子特种气体，较传统气体一般具有特殊用途且纯度更高，特种气 体的重要分支，用于半导体、显示面板、光伏及其它电子产品生产。
树脂	指	Resin，一种高分子聚合物，系光刻材料的主要成份之一，不同类型 或品种的光刻材料所用树脂存在较大差异。树脂原材料主要系单体， 系小分子化合物，通过化学合成将小分子化合物聚合成为树脂。
碳膜涂层/SOC	指	Spin on Carbon，简称 SOC，高碳含量的交联芳香结构聚合物，一般 由聚酰胺酸树脂、交联剂和溶剂等混配而成，系一种有机涂层。
抗反射涂层/ARC	指	Anti-Reflection Coating，简称 ARC，指涂布在光刻胶底部或顶部等 的涂层，由高分子树脂、染料、热致产酸剂、溶剂等组成，系各类 抗反射涂层总称，可包括 SiARC、BARC、TARC等。
底部抗反射涂层 /BARC	指	Bottom Anti-Reflection Coating，简称 BARC，涂布在光刻胶底部的 抗反射涂层。
含硅抗反射涂层 /SiARC	指	Silicon containing Anti-Reflection Coating，简称 SiARC，三层光刻工 艺涉及光刻材料之一。
顶部抗反射涂层 /TARC	指	Top Anti-Reflection Coating，简称 TARC，涂布在光刻胶顶部的抗反 射涂层。
顶部涂层/Top Coating	指	Top Coating,一种涂布光刻胶顶部的防水涂层，隔绝光刻胶与水的物 理接触，主要应用于浸没式光刻工艺。
光刻胶	指	为利用光化学反应进行微细加工图形转移的媒体，由感光树脂、光 敏剂、溶剂和添加剂等主要成分组成的对光敏感的感光材料，被广 泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技 术的关键性材料。
负性光刻胶	指	在光刻工艺中，涂层经曝光、显影后，未曝光部分在显影液中溶解 而曝光部分保留下来形成图像的光刻胶
i-Line光刻胶	指	应用紫外曝光光源波长为 365nm的光刻胶，可应用于集成电路、分 立器件等领域。
KrF光刻胶	指	应用氟化氪曝光光源波长为 248nm的光刻胶，又称氟化氪光刻胶， 主要应用于集成电路领域。
ArF干式光刻胶	指	ArF光刻胶应用氟化氩曝光光源波长为 193nm的光刻胶，又称为氟 化氩光刻胶，可进一步分为 ArF干式光刻胶和 ArF浸没式光刻胶， 干法工艺的折射介质是空气，均主要应用于集成电路领域。
ArF浸没式光刻胶	指	ArF光刻胶应用氟化氩曝光光源波长为 193nm的光刻胶，又称为氟 化氩光刻胶，可进一步分为 ArF干式光刻胶和 ArF浸没式光刻胶， 湿法工艺的折射介质是水，均主要应用于集成电路领域。
掩模板	指	又称光掩模、光罩、掩膜版，是微电子加工技术常用的光刻工艺所 使用的图形母版。掩模板作为图形信息的载体，通过曝光过程，将 图形转移到基体材料上，从而实现图形的转移。
TEOS	指	正硅酸乙酯，又名四乙氧基硅烷，化学式为 C8H20O4Si，一种硅基 前驱体材料。
逻辑芯片	指	一种电子元器件，是一种用于数字系统设计的专用集成电路，包含 着复杂的逻辑门电路。
存储芯片	指	也叫半导体存储器，是电子数字设备中用来存储的主要部件，是嵌 入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。
DRAM	指	动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），是一种 半导体存储器，每隔一段时间要刷新充电一次以维持内部的数据， 故称“动态”。
NAND闪存	指	数据型闪存芯片，一种非易失闪存技术及基于该技术的产品。
3D NAND闪存	指	一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决 2D 或者 平面 NAND闪存带来的限制。
浸没式光刻工艺	指	将传统光刻工艺中空气介质换成液体，利用光通过液体介质后光源 波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。目 前业界以超纯水作为浸没式液体。
旋涂介电层材料/SOD	指	Spin-On Dielectric，简称 SOD，是经过旋涂成膜后转化成高纯绝缘 膜的液态涂膜产品。
加仑	指	一种容积单位，英文全称 gallon
报告期末	指	2026年 6月 30日
报告期、本报告期	指	2026年 1月 1日至 2026年 6月 30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	厦门恒坤新材料科技股份有限公司
公司的中文简称	恒坤新材
公司的外文名称	Xiamen Hengkun New Materials Technology Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	Hengkun New Materials
公司的法定代表人	易荣坤
公司注册地址	厦门市海沧区东孚镇山边路389号
公司注册地址的历史变更情况	报告期内无变更
公司办公地址	厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心E座19楼
公司办公地址的邮政编码	361026
公司网址	www.hengkun.com
电子信箱	ir@hengkun.com
报告期内变更情况查询索引	无

联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	陈颖峥	丁爽
联系地址	厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心 E座19楼	厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心 E座19楼
电话	0592-6208266	0592-6208266
传真	不适用	不适用
电子信箱	ir@hengkun.com	ir@hengkun.com

信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》(www.cnstock.com） 《证券时报》(www.stcn.com） 《中国证券报》(www.cs.com.cn） 《证券日报》(www.zqrb.cn） 《经济参考报》(www.jjckb.cn） 《中国日报》(cn.chinadaily.com.cn）
登载半年度报告的网站地址	上海证券交易所：www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心E座19楼
报告期内变更情况查询索引	无

公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	恒坤新材	688727	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

其他有关资料
□适用 √不适用

公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	341,381,137.61	294,337,252.67	15.98
利润总额	90,226,956.26	44,509,773.81	102.71
归属于上市公司股东的净利润	84,080,210.24	41,600,402.35	102.11
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润	45,334,963.97	30,739,731.93	47.48
经营活动产生的现金流量净额	23,280,792.76	191,282,998.11	-87.83
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	2,586,061,093.14	2,504,272,921.05	3.27
总资产	3,805,300,274.31	3,985,012,430.20	-4.51

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.1871	0.1089	71.81
稀释每股收益（元／股）	0.1839	0.1082	69.96
扣除非经常性损益后的基本每股收益 （元／股）	0.1009	0.0805	25.34
加权平均净资产收益率（%）	3.30	2.73	增加 0.57个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率（%）	1.78	2.02	-0.24
研发投入占营业收入的比例（%）	17.90	14.13	3.77

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内，公司实现营业收入 34,138.11万元，较去年同期增长 15.98%，其中光刻材料同比增长 10.90%，前驱体材料同比增长 47.95%。公司近年来自产产品收入保持较快增长，业务规模持续扩大。

公司营业收入增长主要系公司持续聚焦半导体材料主业，不断深化在光刻材料、前驱体材料等核心产品领域的技术布局与工艺优化，自主研发与产品迭代能力持续提升。同时，公司积极拓展境内晶圆制造及先进封装客户，稳步推进重点产品线的客户验证与批量供货，拓展成效逐步显现。此外，公司紧密贴合下游客户产能释放与产品升级节奏，强化供应链保障与客户服务能力，核心产品出货量稳步提升，带动主营业务收入实现持续增长。

报告期内，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 4,533.50万元，较去年同期增长 47.48%，主要系由于自产产品产销增长，盈利能力提升。

报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润为 8,408.02万元，较去年同期增长 102.11%，除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外，主要系由于持有的其他非流动金融资产、交易性金融资产等公允价值变动收益增加。

报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额为 2,328.08万元，较去年同期下降 87.83%，主要系由于收到的补助款减少。


境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值 准备的冲销部分	-251,599.55
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营 业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定 的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府 补助除外	939,770.51
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外，非金融企业持有金融资产和金融负债产 生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金 融负债产生的损益	49,641,076.82
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用 费
委托他人投资或管理资产的损益	1,478,447.41
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的各 项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资 成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认 净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并 日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性 费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益 产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份 支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，
非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地 产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损 益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	-127,490.39
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	12,934,958.53
少数股东权益影响额（税后）
合计	38,745,246.27

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本期比上年同期 增减(%)
扣除股份支付影响后的净利润	86,948,919.02	49,327,450.43	76.27
扣除股份支付影响后的归母净利润	86,959,424.98	49,331,439.13	76.28

非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
公司聚焦集成电路关键材料领域，主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”。

集成电路是支撑数字经济、人工智能、高端装备制造、网络信息安全等新兴产业体系的先导性核心产业，是培育新质生产力的重要支撑赛道，在国家“十五五”规划纲要中被列为重点攻关领域，国家持续出台系列专项政策全方位扶持产业高质量发展。

2026年上半年，国内 AI算力芯片、高堆叠 3D NAND、先进 DRAM存储、特色工艺晶圆相关需求呈现结构性增长，国内芯片制造产能持续扩容，同时产业链自主可控已经成为国内产业发展重要主线，晶圆制造企业出于供应链安全、地缘环境风险防范双重考量，持续推进国产设备、国产材料的导入验证，国内半导体材料国产化验证与导入进程稳步推进。

集成电路材料是支撑集成电路技术持续创新的关键上游环节，处于整个产业链上游环节，对产业发展起着重要支撑作用，具有产业细分领域多、技术壁垒较高、研发投入规模大、研发及客户验证周期较长等特征。从产业链传导逻辑看，芯片制造产能扩张有望拉动上游电子化学品、特种材料、精密设备的市场需求，集成电路制造环节长期扩产预期，为上游半导体材料赛道创造长期市场空间，行业发展具备政策支持与市场需求层面的发展机遇；同时，集成电路行业具备较强周期性，行业发展亦面临全球需求波动、海外技术竞争、下游客户资本开支节奏变化、市场竞争加剧等挑战。

（二）主营业务情况说明
公司长期专注 12英寸集成电路晶圆制造关键材料的研发、生产与销售，深耕光刻材料、高纯前驱体材料两大核心赛道，实现 SOC、BARC、KrF光刻胶、i-Line光刻胶、ArF浸没式光刻胶、9N电子级 TEOS等多款产品自主研发与产业化落地，具备多品类半导体关键材料量产能力。公司产品及技术储备围绕 12英寸集成电路晶圆制造所需关键材料，覆盖 128层及以上 3D NAND、18nm及以下 DRAM存储芯片以及 7-90nm技术节点逻辑芯片。公司采用自主研发、全国多基地专业化生产、直接面向晶圆制造企业直销的经营模式，构建从配方开发、小试中试、规模化生产、客户端应用开发、售后技术支持的全链条服务体系。

光刻材料作为公司核心营收支柱，完整布局涂层、多代次光刻胶配套产品矩阵，其中 SOC碳膜、BARC抗反射涂层、i-Line负性光刻胶、KrF光刻胶已实现长期稳定批量供货，批量导入国内多家头部存储、逻辑晶圆厂，产品在性能、缺陷控制、蚀刻匹配度等关键指标上向国际一线厂商水平看齐，助力下游供应链国产化推进，加速相关材料进口替代进程；ArF浸没式光刻胶顺利通过客户全流程验证并实现小规模批量供货，SiARC、Top Coating等高端配套涂层同步推进多家晶圆厂多轮工艺测试并取得某客户小批量订单，产品管线持续丰富完善。

前驱体材料业务以高纯硅基 TEOS为核心主力产品，依托大连基地自主连续精馏纯化生产线，稳定产出 9N超高纯度产品，充分满足各类芯片制造薄膜沉积工艺应用需求，出货量逐年稳步提升。公司同步布局其他金属基、High-K前驱体研发和产业化，多款产品已进入客户验证阶段，部分新品已通过验证取得订单，逐步完善前驱体产品布局，有望打造公司营收第二增长曲线。

公司坚持产业链自主可控发展战略。供应链自主可控关系到关键材料企业的量产供货能力和持续研发能力，系关键材料企业可持续发展的重要支撑。为了保障供应链安全，公司持续向上游原材料延伸布局。目前，公司通过自主研发与技术转让相结合、投资参股的方式逐步实现上游树脂原材料国产化。截至报告期末，公司已实现 SOC树脂、BARC树脂、ArF浸没式光刻胶树脂等部分核心原材料自主生产。同时，公司与核心供应商开展深度战略合作，拓宽原材料供应渠道，降低对单一供应商的依赖，缓释外部供应链波动带来的风险。



新增重要非主营业务情况
□适用 √不适用

经营情况的讨论与分析
一、整体经营稳健向好，自主转型成效显著
2026年上半年，受益于国内集成电路产业快速发展、下游晶圆制造产能有序释放，叠加公司自研自产光刻材料、前驱体材料国产替代进程提速，公司经营业绩稳步增长，营业收入、净利润、扣非净利润三项核心指标均实现同比提升。公司业务结构持续优化，自研自产产品已成为公司收入及利润的核心支柱，业务自主化转型成效凸显。公司始终坚持研发驱动战略，持续加大研发资金、高端人才、精密设备投入，重点推进高端光刻材料、前驱体材料、核心原材料树脂等产品拓展和技术攻关，不断扩充高层次研发梯队，筑牢技术创新根基。同时，公司持续优化客户结构，深耕头部晶圆制造企业、参与客户产品迭代所伴随的关键材料协同研发，同时拓展其他特色工艺晶圆客户，有效分散经营风险；各生产基地产能稳步爬坡，产品品质与出货稳定性持续提升，规模效应逐步显现，一定程度对冲基地建设期折旧、运维等增量成本。公司资产负债结构保持稳健，整体经营基本面持续向好。

二、全国产能布局落地，各基地协同高效运营
公司已形成漳州、大连、安徽三大生产基地差异化、专业化的产能布局，各基地分工协同、支撑各产品线规模化发展。其中，漳州基地聚焦成熟光刻材料量产，通过二期技改及设备升级提升产能利用率，依托专属中试产线加速新品迭代与客户验证，充分承接下游大批量订单，逐步提升产能利用率；大连基地专注高纯前驱体材料产品生产，核心 TEOS产品出货量同比大幅增长，同步推进二期扩建及金属基前驱体产业化布局，持续优化生产工艺，产品品质稳步提升，部分新产品已通过客户验证取得量产订单；安徽基地作为 IPO募投项目之一，聚焦高端光刻材料的产业化，现阶段项目处于产品验证和导入阶段，预计 2026年内或 2027年上半年前能够取得重要进展。

随着产品导入客户体系实现批量供货、产能利用率持续爬坡提升，安徽基地将成为公司业绩持续增长的重要基石。

三、深化产业战略布局，拓宽产品赛道构筑壁垒
报告期内，公司联合产业战略投资方及资深技术团队设立控股合资公司，开展半导体旋涂型功能性材料及其配套材料的研发、生产和销售。结合半导体先进制程材料行业发展周期、国产替代长期趋势，公司布局高壁垒新兴赛道，拓宽半导体制造全流程材料配套布局。

旋涂介电层 SOD材料系 DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠 3D NAND存储芯片制造所需核心材料，目前国内具备稳定规模化量产能力的厂商较少，市场长期由境外企业占据，国产替代具备较大空间。该产品与公司现有光刻材料、前驱体材料等主营产品工艺协同性突出，有助于打通晶圆旋涂、薄膜沉积关键工序材料供给链条，健全一体化配套供应能力。截至本报告披露日，合资公司已完成工商设立登记，尚处于产品研发、产业化建设规划阶段，暂未实现规模化量产与商业化供货，短期内难以对公司营收及利润形成明显贡献。本次新赛道布局是公司丰富产品品类、优化业务结构的关键战略举措，公司可依托现有晶圆客户资源同步推进联合工艺验证，有效缩短产品下游导入周期，培育全新业绩增长曲线，持续提升公司在半导体材料领域的综合竞争力。

四、行业前景广阔，中长期发展路径清晰
从行业发展趋势来看，集成电路产业链自主可控的发展方向保持稳定，AI算力产业持续扩容、下游先进晶圆产能持续落地，有望带动高端光刻材料、前驱体、旋涂类半导体材料增量需求，国产替代具备持续推进空间。短期维度，公司将全速推进三大生产基地项目建设与产能爬坡，加速成熟产品放量、高端产品客户导入及旋涂介电材料产业化落地；持续攻坚树脂等上游核心原材料自研技术攻关，完善自主可控供应链体系，降低外部供应链波动风险；持续优化客户结构，平滑行业周期与客户集中带来的经营波动。中长期维度，公司将坚守集成电路关键材料自主可控战略，持续完善光刻材料、前驱体材料、旋涂介电材料三大核心产品矩阵，向上游高纯原料、树脂合成领域延伸产业链；持续优化全国专业化产能布局，加大前沿新材料研发投入，夯实配方、纯化、量产、工艺配套等多维度技术优势，全面提升面向高端 12英寸晶圆厂的一体化配套服务能力，助力国内集成电路产业链实现安全、自主、可控的高质量发展。


非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
□适用 √不适用

报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用

一、核心技术优势
公司根据境外集成电路先进制程的发展历程，从中国境内企业并未充分涉足的光刻材料如SOC、BARC等在先进制程广泛应用的产品切入，快速实现替代与量产供货，填补国内空白。在光刻材料方面，公司进一步向 i-Line光刻胶、KrF光刻胶、ArF浸没式光刻胶、SiARC、Top Coating等产品延伸，其中 i-Line光刻胶与 KrF光刻胶已实现销售，ArF浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售，SiARC、Top Coating亦已取得客户小批量订单。在前驱体材料方面，公司自产 TEOS已实现规模化销售，还同步布局了其他金属基、High-K前驱体研发和产业化，多款产品已进入客户验证阶段，部分新品已通过验证取得订单。截至报告期末，公司已取得专利授权 122项，其中发明专利 53项。公司已取得的相关专利均系与公司主营业务相关的知识产权储备，保障了公司在集成电路关键材料领域的核心技术优势。

二、研发创新优势
公司坚持自主研发为主的创新发展路径，持续保持高研发投入强度。2026年 1-6月，研发投入 6,112.40万元，占营业收入比重达 17.90%。公司全资子公司福建泓光和大连恒坤为高新技术企业，2024年福建泓光被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。同时，公司持续承接国家各类重大专项，在前期承接国家 02科技重大专项子课题及国家发改委专项研究任务并已完成验收基础上，陆续新增联合承接国家多部委重要攻关任务，通过行业领先的研发能力为中国境内集成电路实现全产业链自主可控提供关键支持。

公司持续深化与国内重点高校、国家级半导体科研院所、上下游龙头企业的合作，积极参与半导体关键材料行业课题攻关，共建新材料联合实验室，整合资源开展研发试验工作。现阶段公司已搭建起覆盖半导体原材料及成品的配方设计、工艺开发、产业化应用验证的一体化、智能化研发平台，打通新品研发全链条，有效缩短新材料从实验室研发到批量供货的落地周期。

三、客户资源优势
公司客户系国内主流 12英寸集成电路晶圆厂，对各类关键材料供应商的产品质量和供货能力十分重视，关键材料供应均需严格验证，且通常需经较长验证周期方可进入供货阶段。报告期内，公司产品已在多家中国境内领先的 12英寸集成电路晶圆厂实现销售，积累了众多优质客户资源，确保公司在后续产品导入和验证过程中的先发优势。

四、人才团队优势
人才是企业发展的核心内生驱动力。公司秉持引才、育才、留才一体化人才发展理念，经过多年发展，公司汇聚了一支高学历、高素质、富有开拓进取及创新意识的研发队伍，同时拥有具备深厚行业积累的生产技术、市场服务专业人才。公司持续面向半导体材料领域引进各类高层次专业人才，核心技术团队中既有具备晶圆制造工艺从业背景的技术专家，也拥有材料学科背景的高端技术人才，团队在集成电路材料领域沉淀了丰富的实操经验与技术储备。公司持续完善人才激励机制，充分调动团队创新积极性，高素质人才梯队为公司稳固市场竞争优势提供坚实保障。

五、地域产能优势
公司已构建厦门总部、漳州光刻材料基地、大连前驱体基地、合肥先进材料基地的全国化产业布局，各基地定位清晰、专业化分工明确，形成光刻材料、前驱体材料分域规模化生产格局。

各生产基地邻近国内半导体产业集群，区位优势显著，便于贴近下游晶圆制造企业，有效降低物流成本并提升技术对接响应效率。

公司将按募投项目规划稳步推进各基地建设与产能释放，持续完善产品供给能力，进一步增强面向下游客户的供应保障水平，在服务下游客户的同时助力国内集成电路材料产业链配套建设。



(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

(三) 核心技术与研发进展
1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司专注于集成电路关键材料的研发与产业化应用，核心技术均系围绕关键材料的研发和生产展开，并进一步延伸至对关键材料上游原材料的技术储备。公司主营业务产品中，光刻材料属于配方型精细化学品，前驱体材料属于高纯化学试剂，在产品研发过程中需要对客户工艺制程与应用需求充分理解，并根据不同客户情况对产品进行改良调整；在产品生产过程中需要对产品品质与量产能力全面管控，确保产品品质与生产规模持续满足客户使用需求。公司作为半导体制造关键材料企业，在配方研发、生产能力、品质管控以及产品应用等方面形成核心技术积累，帮助公司在半导体行业树立行业壁垒，持续稳固核心竞争能力。截至报告期末，公司拥有关键核心技术情况、技术来源、技术所处阶段、技术先进性等具体情况如下表所示：

序 号	核心技术 名称	核心技术描述	核心技术 所处阶段	技术 来源	核心技术先进性及具体表征
1	光刻材料 配方开发 技术	技术用于光刻材料配方 开发与改良，在产品研发 阶段与验证阶段均发挥 核心作用。光刻材料属于 配方型精细化学品，定制 化程度高，细微比例的配 比变化、含量调整或组合 改良都会对光刻材料的 功能与性能产生重大影 响。配方开发技术系公司 研发光刻材料的基础核 心技术。	成熟应用	自主 研发	相关技术已支持研发完成超过 90款用于 12英寸集成电路晶圆 制造光刻材料配方，且多款光刻 材料实现量产供应或通过客户 验证。光刻材料属于配方型精细 化学品中高难度级别，且属于定 制化产品，不同客户在不同工艺 使用的光刻材料通常存在差异， 需对配方进行适时调整，公司配 方开发技术帮助公司产品能够 持续匹配客户多样化需求。
2	光刻图形 改善与应 用优化技 术	技术用于光刻材料在客 户验证过程中的分析与 优化。技术基础系基于对 集成电路光刻工艺的专 业理解与经验积累，形成 对光刻工艺过程中图形 和成像的分析能力。该技 术与光刻材料配方开发 技术相结合后共同实现	成熟应用	自主 研发	根据验证过程中的光刻图形、参 数信息等数据，结合光刻工艺专 业经验，形成适配修改意见与改 良方案。该技术已帮助公司实现 超过 50款光刻材料顺利通过验 证并量产供货。公司利用该技术 打破美日厂商在中国大陆晶圆 制造厂商光刻材料垄断，为客户 提供多元化解决方案。
		光刻材料的持续研发和 产品导入。同时，在引进 模式下，该技术为公司前 期顺利导入中国境外关 键材料厂商的光刻材料 提供技术支撑。
3	碳膜涂层 （SOC） 生产管理 技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用 SOC规模生产 与品质管控的技术。	部分成熟 应用	自主 研发	1、技术实现高温产品可应用于 400°C~450°C，单一金属离子 浓度低于 1ppb，粒径 0.3μm以 上颗粒度低于 5个/ml，最小可 填隙尺寸能力达 20nm以下； 2、技术可精确调控碳含量以及 树脂结构优化，并提供刻蚀选择 比； 3、SOC已通过多家客户验证并 实现销售，系中国境内极少数 SOC量产供货企业之一，成功 替代国际竞品。
4	抗反射涂 层（ARC） 生产管理 技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用 BARC、TARC 以及 SiARC等抗反射涂 层规模生产与品质管控 的技术。	部分成熟 应用	自主 研发	1、技术精确匹配衬底膜层对光 学常数要求，实现材料表面处反 射率小于 0.5%；能够适配快速 刻蚀速率，并满足光刻胶侧壁形 貌要求； 2、BARC已通过多家客户验证 并实现销售，系中国境内少数实 现 BARC量产供货企业，成功 替代国际竞品。
5	i-Line光 刻胶生产 管理技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用 i-Line光刻胶及 相关感光类材料规模生 产与品质管控的技术。	部分成熟 应用	自主 研发	1、根据客户需求定制适配 12 英寸集成电路晶圆制造光刻工 艺的创新负性 i-Line光刻胶，分 辨率、对比度、粘附性及敏感度 均系为客户定制开发； 2、i-Line光刻胶已通过客户验
					证并实现销售。
6	KrF光刻 胶生产管 理技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用 KrF光刻胶规模 生产与品质管控的技术。	部分成熟 应用	自主 研发	1、技术可实现厚度从数微米到 0.2μm，极限分辨率可达到 120nm，1:1线条图形，在曝光 宽容度为 10%的情况下焦深大 于 0.3μm； 2、KrF光刻胶已通过客户验证 并实现销售，成功替代国际竞 品。
7	ArF浸没 式光刻胶 生产管理 技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用 ArF浸没式光刻 胶的技术。	部分成熟 应用	自主 研发	实现 1200?厚度， 66nmCH （1:1pitch）iArfPTD光刻胶量 产。
8	光刻工艺 化学试剂 生产管理 技术	用于 12英寸集成电路晶 圆制造用旋涂介电层、 TopCoating等化学试剂规 模生产与品质管控的技 术。	研发中	自主 研发/ 技术 转让	不适用
9	树脂制造 工艺技术	树脂系光刻材料核心成 份，直接影响光刻材料的 光学性能、分辨率、蚀刻 性能等重要参数。该技术 对应自产各类光刻材料 的树脂原材料，涵盖树脂 合成方法、金属离子去除 技术以及添加剂适配等 细分技术。通过掌握树脂 制造相关技术，公司可实 现对光刻材料核心原材 料的自主可控。	部分成熟 应用	自主 研发/ 技术 转让	实现不同种类树脂稳定合成，是 光刻材料自主研发重要支撑；在 含碳量、厚度、单体比例、分子 量以及一致性等方面均满足光 刻材料要求；合成树脂满足单一 金属离子含量小于 1ppb，总金 属离子小于 5ppb技术指标要 求。
10	硅基前驱 体材料生 产管理技 术	用于 TEOS等硅基前驱体 材料规模生产与品质管 控的技术。	部分成熟 应用	技术 授权/ 自主 研发	1、采用二次精馏提纯工艺制备 电子级 TEOS，工艺所用精馏塔 均为填充塔，生产过程为连续性 精馏生产。在生产过程中实现每 步检测，多步过滤，两次精馏， 连续生产等特点； 2、TEOS已通过多家客户验证， 并已实现销售，出货量逐年稳步 提升。
11	金属基前 驱体材料 生产管理 技术	用于四氯化铪等金属基 前驱体材料规模生产与 品质管控的技术。	研发中	自主 研发	多款产品已进入客户验证阶段， 部分新品已通过验证取得订单。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
福建泓光	国家级专精特新“小巨人”企业	2024年	——

2、 报告期内获得的研发成果
截至 2026年 6月 30日，公司及控股子公司拥有知识产权共 155项，其中已获得发明专利 53项，实用新型专利 69项，软件著作权 1项，其他（商标）32项。

报告期内获得的知识产权列表：

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	19	2	130	53
实用新型专利	0	4	83	69
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	1	1
其他	0	3	32	32
合计	19	9	246	155

3、 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	61,123,982.96	41,604,299.35	46.92
资本化研发投入
研发投入合计	61,123,982.96	41,604,299.35	46.92
研发投入总额占营业收入比 例（%）	17.90	14.13	增加 3.77个百分点
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内，公司持续进行研发投入，以保持公司的核心竞争力以及技术的领先性。本期研发投入总额 6,112.40万元，较上年增长 46.92%。主要基于公司业务发展及技术布局需要，包括： 1、持续推进核心产品迭代与高端化研发
公司围绕光刻材料和前驱体材料等核心业务，持续对光刻材料、前驱体材料以及其他超高纯电子化学品等产品进行配方开发、工艺优化、性能提升与客户验证。随着先进制程验证推进、产品矩阵进一步丰富，研发材料消耗、检测验证及试验费用相应增加，推动研发投入稳步增长。

2、研发设备投入与技术平台持续完善
为满足更高精度、更高稳定性的研发测试需求，公司适度新增及升级研发检测设备，相关折旧费用、设备运维及实验室运行费用有所上升，进一步支撑关键技术攻关与自主创新能力建设。

3、加强前瞻性技术布局与专利布局
结合行业技术发展趋势，公司开展前瞻性研究，并持续加强知识产权保护与专利布局。

综上，本期研发投入同比增长 46.92%，主要系公司坚持技术创新驱动、持续优化产品结构、完善研发平台所致，符合公司战略发展方向和半导体材料行业研发投入特点。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4、 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投 入金额	进展或 阶段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
1	碳膜 涂层 系列 研发 项目	2,500.00	685.48	1,536.11	部分产 品已实 现量产 供货， 部分在 研发和 客户验 证中	根据工艺需求不 同，广泛应用于 逻辑芯片和存储 芯片生产。在研 或在验证产品均 已明确对标产品 及境外厂商，目 标实现替代。 SOC系公司核心 产品之一。	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	产品为 先进逻 辑和存 储制程 的关键 材料，具 有较大 成长空 间。
2	抗反 射涂	5,400.00	601.66	4,302.83	部分产 品已实	项目子产品包括 BARC、SiARC	产品参 数与性	产品为 先进逻
	层系 列研 发项 目				现量产 供货， 部分在 研发和 客户验 证中	以及 TARC等。 根据工艺需求不 同，广泛应用于 逻辑芯片与存储 芯片生产。在研 或在验证产品均 已明确对标产品 及境外厂商，目 标实现替代。 BARC系公司核 心产品之一。	能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	辑和存 储制程 的关键 材料，具 有较大 成长空 间。
3	KrF 光刻 胶系 列研 发项 目	9,800.00	1,322.90	5,061.16	部分产 品已实 现量产 供货， 部分在 研发和 客户验 证中	根据工艺需求不 同，广泛应用于 逻辑芯片与存储 芯片生产。在研 或在验证产品均 已明确对标产品 及境外厂商，目 KrF 标实现替代。 光刻胶系公司核 心产品之一。	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	产品满 足成熟 制程和 先进制 程的技 术要求， 具有较 大成长 空间。
4	ArF 浸没 式光 刻胶 系列 研发 项目	3,800.00	705.97	2,961.85	研发 中，部 分在客 户验证 中，部 分已通 过验证 并小规 模销售	项目子产品包括 ArF光刻胶与 ArF浸没式光刻 胶等。根据工艺 需求不同，广泛 应用于逻辑芯片 与存储芯片生 产。在研或在验 证产品均已明确 对标产品及境外 厂商，目标实现 替代。	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	产品为 先进制 程的必 备材料， 具有较 大成长 空间。
5	i-Lin e光 刻胶 系列 研发 项目	3,500.00	800.93	2,275.89	部分产 品已实 现量产 供货， 部分在 研发和 客户验 证中	项目子产品包括 应用于 12英寸 集成电路晶圆制 i-Line 造的 负性 光刻胶及相关感 光类光刻材料， 广泛应用于存储 芯片生产。部分 产品系基于客户 需求定制开发， 属于创新产品。	部分产 品系配 合客户 创新研 发，处于 行业领 先水平。	产品为 高阶 3D NAND 制程的 应用需 求，具有 较大成 长空间。
6	光刻 工艺 化学 试剂 系列 研发	3,500.00	686.85	2,697.71	研发 中，部 分在客 户验证 中	项目子产品包括 光刻工艺相关化 学试剂如旋涂介 电层（SOD）、 Top Coating 等， 适用于正负显	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商	产品应 用于特 定技术 节点，为 丰富产 品线，扩
	项目					影，广泛应用于 逻辑芯片与存储 芯片生产。在研 或在验证产品均 已明确对标产品 及境外厂商，目 标实现替代。	产品，处 于行业 领先水 平。	大应用 和市场 份额。
7	光刻 材料 原材 料系 列研 发项 目	1,700.00	259.36	1,652.48	研发中	项目系公司光刻 材料原材料之一 的树脂，在技术 转让基础上进一 步研发，目标实 现树脂国产化应 用。	树脂预 计参数 与性能 达到或 优于现 有采购 产品，境 内尚未 实现树 脂国产 化，原材 料技术 处于行 业领先 水平。	产品为 光刻胶 生产必 要物料， 具有和 光刻胶 协同增 长潜力。
8	硅基 前驱 体系 列研 发项 目	2,300.00	213.62	785.03	部分产 品已实 现量产 供货， 部分在 研发	项目子产品包括 TEOS等硅基前 驱体材料，纯度、 杂质与金属离子 浓度均达到集成 电路要求，在研 产品已明确对标 产品及境外厂 商，目标实现替 代。TEOS系公 司核心产品之 一。	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	产品满 足成熟 制程和 先进制 程的技 术要求， 具有较 大成长 空间。
9	金属 基前 驱体 系列 研发 项目	16,500.0 0	835.62	4,400.24	研发 中，部 分在客 户验证 中，部 分已通 过验证 并取得 订单	项目子产品包括 各类金属基前驱 体材料，纯度、 杂质与金属离子 浓度均达到集成 电路要求，在研 或在验证产品已 明确对标产品及 境外厂商，目标 实现替代。	产品参 数与性 能达到 或优于 对标境 外厂商 产品，处 于行业 领先水 平。	产品满 足先进 制程的 技术要 求，具有 较大成 长空间。
	合计	49,000.0 0	6,112.40	25,673.3 0	/	/	/	/

注：以上在研项目持续研发迭代中，各项目中报告期前已结项的子项目数据不再核算计入。（未完）