SK海力士批准380亿美元AI芯片工厂投资
永仁Y2工厂是该半导体集群四个工厂中的第二个,将作为动态随机存取记忆体(DRAM)芯片的主要生产基地。DRAM是AI服务器处理器的关键组件,尤其高带宽记忆体(HBM)产品需求正快速增长。 根据计划,Y2工厂将于明年7月启动建设,2029年6月首个洁净室投入使用,生产HBM等新一代DRAM产品。第一期工厂的洁净室则预计明年2月开放。 此外,清州M17工厂将生产NAND闪存记忆体,应用于个人电脑到AI服务器等设备。该工厂计划明年2月开工,2028年12月首个洁净室开放。 SK海力士还表示,正积极审查追加的股东回报措施,预计第三季度公布具体方案。 中财网
![]() |