800V架构升级浪潮来袭 宽禁带器件爆发期开启

时间：2026年07月22日 21:50:30 中财网

　　随着AI服务器功率快速迈入百千瓦级并向兆瓦级演进，数据中心传统低压大电流供电方式在铜耗、线缆占用和空间利用上遭遇明显瓶颈，供电架构升级已成必然趋势。

　　
　　一份研报观点认为，功率密度跃升正推动数据中心向800V DC架构全面转型。研报指出，800V DC架构能显著降低导体电阻损耗、节省机柜空间、减少能量转换环节，并更好接入储能与直流能源。其本质是将PSU的AC/DC与DC/DC功能解耦，AC/DC移至侧边Power Rack，IT Rack仅保留靠近负载的DC/DC降压。SiC器件因耐高压、大功率且低损耗特性，更适合大功率AC/DC转换；GaN器件开关速度快、开关损耗低，则更适用于DC/DC环节，由此为宽禁带功率器件打开成长空间。

　　
　　研报详细梳理了四阶段演进路径：第一阶段PFC、LLC和BBU成为主要增量，英飞凌30kW PFC单模块含12颗1200V SiC与6颗650V GaN，1MW约需612颗；第二阶段板载高降压比DC/DC成为GaN核心需求，EPC 6kW方案单机采用48颗GaN；第三阶段MW级整流与800V直流保护将带动SiC模块及SSCB、eFuse需求；第四阶段SST直连中压电网进一步增加SiC用量。

　　
　　基本面来看，宽禁带器件在高压高频场景的优势明显，上游材料、代工及功率器件环节均将受益。天岳先进、斯达半导、士兰微、华润微、英诺赛科、新洁能等公司技术储备与产能扩张正匹配这一趋势，行业长期成长空间有望持续扩张。