[年报]银河微电(688689):中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年度持续督导年度报告书

 时间：2025年05月07日 20:26:11 中财网
原标题:银河微电:中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年度持续督导年度报告书

中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2024年度持续督导年度报告书

保荐人名称：中信建投证券股份有 限公司被保荐公司名称：常州银河世纪微电子股 份有限公司
保荐代表人姓名：宣言联系方式：021-68801584 联系地址：上海市浦东南路528号上海证 2203 券大厦北塔 室
保荐代表人姓名：王家海联系方式：021-68801574 联系地址：上海市浦东南路528号上海证 券大厦北塔2203室
经中国证券监督管理委员会（简称“中国证监会”）于2020年12月23日出具《关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》2020 3566
（证监许可〔 〕 号）同意注册，常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“公司”）首次向社会公开发行人民币普通股（A股）3,210万股，每股面值1.00元，每股发行价格14.01元，募集资金总额449,721,000.00元，扣除总发行费用（不含增值税）63,604,175.47元后,募集资金净额为386,116,824.53元。

经中国证监会于2022年6月11日出具的证监许可[2022]1180号文“关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复”同意注册，公司向不特定对象发行可转换公司债券应募集资金人民币500,000,000.00 6,603,773.58
元，扣除承销及保荐费用人民币 元（不含税），实际
收到可转换公司债券认购资金人民币493,396,226.42元，其中，律师、审计及验资、资信评级、信息披露及发行手续费等其他发行费用不含税金额合计1,994,339.63元，实际募集资金净额为人民币491,401,886.79元。

中信建投证券股份有限公司（简称“中信建投证券”、“保荐人”）担任银河微电首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐人。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》，由中信建投证券完成持续督导工作。根据《证11号——持续督导》，中信建投证券出具本持续督导年度报告书。

一、持续督导工作情况

工作内容
建立健全并有效执行持续督导工作制度， 并针对具体的持续督导工作制定相应的工 作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工 作开始前，与上市公司或相关当事人签署 持续督导协议，明确双方在持续督导期间 的权利义务，并报上海证券交易所备案。
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽 职调查等方式开展持续督导工作。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司 违法违规事项公开发表声明的，应于披露 前向上海证券交易所报告，经上海证券交 易所审核后在指定媒体上公告。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出 现违法违规、违背承诺等事项的，应自发 现或应当发现之日起五个工作日内向上海 证券交易所报告，报告内容包括上市公司 或相关当事人出现违法违规、违背承诺等
事项的具体情况，保荐人采取的督导措施 督导上市公司及其董事、监事、高级管理 人员遵守法律、法规、部门规章和上海证 券交易所发布的业务规则及其他规范性文 件，并切实履行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治 理制度，包括但不限于股东大会、董事会 监事会议事规则以及董事、监事和高级管 理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制 度，包括但不限于财务管理制度、会计核 算制度和内部审计制度，以及募集资金使 用、关联交易、对外担保、对外投资、衍 生品交易、对子公司的控制等重大经营决 策的程序与规则等。
工作内容
督导公司建立健全并有效执行信息披露制 度，审阅信息披露文件及其他相关文件并 有充分理由确信上市公司向上海证券交易 所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈 述或重大遗漏。
对上市公司的信息披露文件及向中国证监 会、上海证券交易所提交的其他文件进行 事前审阅，对存在问题的信息披露文件应 及时督促上市公司予以更正或补充，上市 公司不予更正或补充的，应及时向上海证 券交易所报告。 对上市公司的信息披露文件未进行事前审 阅的，应在上市公司履行信息披露义务后 五个交易日内，完成对有关文件的审阅工 作对存在问题的信息披露文件应及时督促 上市公司更正或补充，上市公司不予更正
关注上市公司或其控股股东、实际控制人 董事、监事、高级管理人员受到中国证监 会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或 者被上海证券交易所出具监管关注函的情 况，并督促其完善内部控制制度，采取措 施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制 人等履行承诺的情况，上市公司及控股股 东、实际控制人等未履行承诺事项的，及 时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时 针对市场传闻进行核查。经核查后发现上 市公司存在应披露未披露的重大事项或与 披露的信息与事实不符的，应及时督促上 市公司如实披露或予以澄清；上市公司不 予披露或澄清的，应及时向上海证券交易 所报告。
工作内容
发现以下情形之一的，保荐人应督促上市 公司做出说明并限期改正，同时向上海证 券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反《上 市规则》等上海证券交易所相关业务规则 （二）证券服务机构及其签名人员出具的 专业意见可能存在虚假记载、误导性陈述 或重大遗漏等违法违规情形或其他不当情 形；（三）上市公司出现《保荐办法》第七 十一条、第七十二条规定的情形；（四）上 市公司不配合保荐人持续督导工作；（五） 上海证券交易所或保荐人认为需要报告的 其他情形。
制定对上市公司的现场检查工作计划，明 确现场检查工作要求，确保现场检查工作 质量。上市公司出现以下情形之一的，应 自知道或应当知道之日起十五日内或上海 证券交易所要求的期限内，对上市公司进 行专项现场检查：（一）存在重大财务造假 嫌疑；（二）控股股东、实际控制人及其关 联人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大违 规担保；（四）控股股东、实际控制人及其 关联人、董事、监事或者高级管理人员涉 嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者 现金流存在重大异常；（六）上海证券交易 所要求的其他情形。
持续关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐人和保荐代表人发现的问题及整改情况
在本持续督导期间，保荐人和保荐代表人未发现银河微电存在重大问题。

三、重大风险事项
在本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。

2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。

3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。

（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。

2、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。

3、固定资产折旧的风险
随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

4、经营规模扩大带来的管理风险
随着公司业务持续发展和募投项目的实施，公司的收入和资产规模会进一步扩大，产品品种也将增多，员工人数相应增加，这将对公司的经营管理、质量管控、资源整合、市场开拓、内部控制、财务规范等方面提出更高的要求。若公司不能随业务规模扩大，及时优化业务模式，调整管理与组织架构、提升管理水平，将会一定程度上面临经营规模扩大带来的管理风险，进而对盈利能力造成不利影响。

（三）财务风险
1、存货损失风险
公司订单具有“小批量、多批次、交期短和定制化”的特点，在公司根据客户订单排产后，部分下游客户会根据其自身生产计划调整采购需求，导致公司部分存货处于呆滞状态。对由于客户暂缓或取消订单导致呆滞的存货、公司根据可变现净值对其余存货进行减值测试，计提跌价准备。同时，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。未来随着公司业务规模的不断扩大，存货余额可能相应增加。较大的存货余额可能影响公司的资金周转率，也可能使得存货的报废和跌价损失增加，从而对公司经营业绩造成不利影响。

2、应收账款回收风险
虽然公司应收账款债务方主要为资信良好、实力雄厚的公司等，应收账款有较好的回收保障，形成坏账损失的风险较小，公司也已按照会计准则的要求建立了稳健的坏账准备计提政策。但如果公司应收账款持续大幅上升，若公司客户因宏观经济波动或其自身经营原因，出现财务状况恶化、无法按期付款的情况，则将会加大公司应收账款坏账风险，从而对公司的经营稳定性、资金状况和盈利能力产生不利影响。

（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。

未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。

2、市场竞争风险
国际市场上，国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。

3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。

（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。

2、国际经贸摩擦波动风险
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，经贸关系的变化对于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。

3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于2016年11月、2019年12月、2022年11月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月、2023年12月通过审批被认定为高新技术企业，因此报告期内公司、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。

4、汇率波动的风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例在25%左右。公司境外销售货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。

四、重大违规事项
在本持续督导期间，银河微电不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性
2024年，公司主要财务数据如下所示：
单位：元

2024年2023年
909,049,584.47695,265,111.22
71,874,234.8764,052,300.09
48,049,884.6432,202,494.99
67,025,363.87101,657,078.77
2024年末2023年末
1,326,873,054.831,317,708,884.61
2,205,810,186.871,990,282,900.28
公司主要财务指标如下表所示：

2024年2023年
0.560.50
0.560.50
0.380.25
5.474.94
3.662.48
6.176.06
2024年，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
2024年度公司实现营业收入909,049,584.47元，同比增加30.75%；实现归属于上市公司股东的净利润71,874,234.87元，同比增加12.21%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润48,049,884.64元，同比增加49.21%。

主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。

2024年末，公司财务状况良好，总资产2,205,810,186.87元，较报告期初增加10.83%。基本每股收益、稀释每股收益同比增加12.00%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加52.00%，主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。

综上，公司2024年主要财务数据及财务指标变动具有合理性。

六、核心竞争力的变化情况
2024年度，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，全年累计投入5,604.99万元，占营业收入比例为6.17%，新增申请专利52项，其中发明专利15项，集成电路布图设计5项。

公司扎实推进多个研发项目，取得从芯片设计及迭代（6英寸平面芯片、HVIC芯片、FRMOS、SGTMOS等）到新封装开发（铝带工艺PDFN3×3、TO-247-4L、sTOLL、DFN8×8等）、从质量持续改善（过程能力提高、异常问题改善）到集成器件开发（达林顿阵列、半桥驱动IC）等的成果实现。并强化了研发成果的产业化立项和推动，不断提升公司技术创新能力，强化科创属性，并推进研发成果的经济效益转化。


现有核心技术　技术描述及特点
组 装 技 术高密度阵列 式框架设计 技术框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数 增加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产 效率及降低材料消耗。
　芯片预焊技 术将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序， 在提升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显 效果，焊接气孔由5%减少到3%以下，提高产品 质量及可靠性。
　点胶量CPK 自动测量控 制技术通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程 控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶 量都在受控范围。
　功率芯片画 锡焊接技术通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均 匀行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控， 从而可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT厚度 稳定可控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件 的性能和可靠性。
　甲酸真空焊 接技术焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜 还原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架 之间的结合强度，降低产品分层异常。
　高温反向漏 电控制技术SKY芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封 装过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器 件的高温漏电，提高产品的高温可靠性。
　多层叠焊技 术通过精准的锡量控制，使芯片与与芯片之间焊锡 层厚度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯 片的串联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要 求的器件，实现单芯片不能实现的功能。
　LED倒装封装 技术通过将LED芯片PN结输出进行特殊设计，组装 过程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接， 无线焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较 低的热阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大 电流冲击稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更 小，光学更容易匹配。
　超薄超小DFN 封装技术采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是 普通蚀刻工艺的2倍以上，封装采用我司先进的 超薄超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体 厚度可以做到0.22mm以下，塑封体外形可以做 到市面上最小的0201外形。
　双面散热封 装技术在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过 设计厚尺寸clip并用于芯片与框架之间的连 接，产品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获 得平整裸露Clip散热面，从而实现产品底部和 顶部均带散热功能，极大程度提高产品的散热能 力，从而提高功率产品的电流能力。
　基于塑封前 喷涂涂层的 防分层技术在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶， 该溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘 接力和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、 框架和塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可 有效解决芯片、框架与塑封料之间受热力容易产 生的的分层异常，提升功率器件的PCT能力和可 靠性。
　Clip焊接技 术在框架焊接工艺中采用clip完成芯片上表面的 电极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降 低产品潜在失效风险。
　大功率超薄 芯片封装技 术尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易 引起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切 割工艺、采用UV膜及多顶针机构进行装片、通 过BLT和芯片平整度管控等方法有效解决封装 过程的机械及封装应力问题。
成 型 技 术Auto模自动 封装技术采用对塑封模具、框架结构等设计，选用 Automolding系统实现自动塑封，生产过程中可 实现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满 足有特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几 乎不受作业人员操作不当影响，生产效率高，制 程受控。
　光耦器件管 脚一体成型 技术通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统 或模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体 完成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序 生产效率，同时保证产品成型稳定性。
测 试 筛 选 技 术基于产品特 性数据分析 的测试技术针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制 定测试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散 及有潜在失效模式的产品。
　基于光学影 像的全自动 产品测量技 术通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测， 配合产线的生产设备，可以实现产品100%外观 监测，将不符合标准产品有效剔除，检测效率极 高。
　基于开尔文 接触方式的 多颗串联高通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并 采用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免 高压测试过程中因产品引脚与测试座接触不良
　压测试技术而发生漏测，提高测试的生产效率和剔除有效 性。
　基于FMEA的 测试技术针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的 影响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生 产过程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产 品。
　SiC MOSFET 器件动态反 偏筛选技术SiCMOSFET晶圆在现有的生产工艺过程中，栅 氧界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过 常用的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于SiC MOSFET在实际应用中主要当作高频开关器件使 用，栅极在高电平与低电平之间会频繁切换，栅 氧会长期承受高速动态栅应力的作用，故容易引 起使Vth退化失效。我司通过研究分析量化， 掌握了一套模拟SiCMOSFET实际应用对栅氧施 加动态早期失效产品，保证器件的出厂可靠性品 质。
第 三 代 半 导 体高性能沟槽 型 SiC MOSFET芯片 设计沟槽结构SiCMoS是在SiC外延层上刻蚀沟槽， 在沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可 以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容 更小，开关速度快、损耗低。我司通过选取合适 沟道晶面并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟 道迁移率，显著降低芯片导通电阻。
S G T - M O S 晶 圆 设 计SGT结构中低 压MOS芯片 设计该工艺在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的 基础上引入了水平耗尽，通过改变MOSFET内部 电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩 的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降 低导通电阻Rds(on)。
平 面 芯 片 制平面结构芯 片无环高耐 压终端技术特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台 面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以 采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、 CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提 升产品稳定性、可靠性等目的。
造 技 术平面结构芯 片表面多层 钝化技术采用多层CVD钝化膜技术，形成芯片表面所需的 综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化， 平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层CVD钝化膜起到 固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘 电介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝 化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺 钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中 遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定 性、可靠性。
　平面结构功 率稳压二极 管、TVS芯片 设计及制备 技术特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免 了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达 到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
　大功率TVS 产品提升功 率技术采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯 片的接触面积，提升产品的功率能力
　TVS芯片VC 恒定制造工 艺控制技术采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向 TVS芯片IPP/VC曲线，在IPP范围内芯片的VC 保持在一个较小范围，提升产品功率和电压抑制 保护能力。
　稳压管ZZK 改善技术扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺 陷、杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低 产品的动态电阻。
台 面 芯 片 制 造 技 术沟槽湿法腐 蚀形状控制 计划台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的VB 电压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改 善芯片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和 方向，有效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原 先“鸟嘴”处的应力问题，提升了钝化效果。
　PEG特殊钝化 工艺保护应 用技术采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻 法和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生 长，一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃 内部不产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝 化层非常致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性 大大提高，可应用于高可靠性要求的应用场合。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元

本年度上年度
56,049,945.5642,117,351.36
--
56,049,945.5642,117,351.36
6.176.06
--
（二）2024年取得的研发成果
2024年度，公司继续深化研发项目管理，聚焦主营业务方向，在重点应用领域（如电动汽车、工业控制、家用电器等）、重点客户、重点产品等维度积极布局新产品开发不断提升技术开发的转化率和产品开发的成功率。

公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置研发资源，通过加强研发团队建设、加强对外合作，加强项目质量管控，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位。

报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司完成了高可靠性高频开关二极管芯片研发，完成了全系列稳压管芯片各电压档位的开发，并不断推进SGTMOSFET、FRMOS等芯片的系列化，完善了产品布局，进一步增强了公司在功率半导体产品方面的竞争力。

（2）公司完成了铝带工艺PDFN3×3、TO-247-4L、sTOLL、DFN8×8等功率器件封装开发，不断优化在功率器件领域的产品结构。

（3）顺利完成了新能源汽车用SiCMOSFET功率器件和模块关键技术研发的第一阶段的研发目标，达成了SiCMOSFET功率单管器件研发目标，并对功率模块进行了仿真和优化。

（4）完成了高功率密度二极管和整流桥器件开发，保持了公司在功率二极管领域的领先地位。

公司2024年度新增及2024年末累计的知识产权列表如下：

本年新增　　
申请数（个）获得数（个）申请数（个）
151083
3125364
111
000
535
5239453
注：
（1）“本年新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数；（3）“其他”主要为集成电路布图设计（I类知识产权）。

（三）在研项目情况
单位：万元

项目名 称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平
基于深 度学习 的半导 体封装 缺陷检 测技术50.00-30.39项目已完成基于深度学习原理，设计出可以自动检测产品 塑封体外观划痕、破损、压脚、气孔不良，应 用到封装产线，提高产线制程检验能力和效率。国内 领先
6英寸平 面芯片 技术及 产品开 发610.00190.44614.38项目已完成扩展6英寸平面芯片工艺平台，完成全系列稳 压二极管和高可靠度高频开关二极管芯片开 发。国内 先进
面向平 面芯片 的精密 封装技 术及产 品开发1,000.001,055.921,055.92项目已完成通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现平 面芯片高可靠度组装，有效控制芯片的焊接外 观质量和可靠性，降低焊接空洞率，实现封装 良率和可靠性能的提升。国内 先进
超低阻 抗高散 热功率 贴片封 装及器 件开发2,000.002,107.092,107.09项目已完成开发出车规级SiCMOS器件TO-247-4L封 装，制程中采用画锡、真空回流烧结等特殊工 艺提高器件的可靠性；通过对MOS晶圆背面 金属的材质选取及厚度分布的研究，平衡芯片 材料硅与框架铜之间的热应力，实现较大尺寸 芯片能够实现共晶焊接不产生分层；通过设计 特殊的焊接工装，失效薄框架小尺寸贴片封装 的铝带焊接，降低器件的封装阻抗，提高器件 的电流功率密度。国内 先进
项目名 称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平
用于功 率模块 的FRD 芯片开 发330.00415.57415.57项目已完成基于公司现有的6寸晶圆产线，开发175℃结 温的LOWVF和HIGHSPEED的两个系类 FRD芯片产品，能够满足车规应用要求。国内 先进
可控硅 光耦产 品开发70.0066.5866.58项目已完成研究并掌握车规级光耦的产品生产技术，开发 完成BL303X系列可控硅光耦产品，相关产品 能够满足UL/VDE及车规级认证要求。国内 先进
基于芯 片封装 的指纹 的轻量 级区块 链关键 技术研 发650.00255.07255.07研发阶段面向物联网系统的高安全性低成本的安全认证 协议及相应密码硬件加速器设计，研制一款轻 量级、高安全性的基于混沌原理的真随机数发 生器电路和无密钥存储的区块链数字签名产品国内 先进
新能源 汽车用 SiC MOSFET 功率器 件和模 块关键 技术研 发300.0096.6196.61研发阶段基于SiCMOSFET功率器件和模块设计和关 键工艺技术的攻关，形成完整的SiCMOSFET 功率器件和模块制造工艺流程，研制出1200V 系列化车规级SiCMOSFET功率器件和模 块。国内 先进
高电流 密度高 性能功 率整流1,000.001,061.021,061.02项目已完成完成高电压、大电流系列功率整流芯片的开发， 芯片Vbr电压≥1600V,浪涌电流能力 ≥36A/mm2,配合整流桥封装产线做出单相/三 相整流桥系列产品。国内 先进
项目名 称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平
芯片及 产品开 发　　　　　　
RFID超 高频芯 片前端 开发及 其产业 化1,000.00160.36160.36研发阶段1、开发产品为具有自主知识产权的“芯片指纹” （物理不可克隆PUF）电路，以及基于“芯片 指纹”物理不可克隆技术（PUF）的防伪NFC标 签以及超高频的RFID标签；2、打造更加安 全、低成本的基于RFID的产业解决方案，其 中包括：开发基于PUF的RFID智能仓储系 统解决方案；开发基于PUF的RFID新零 售、无人零售系统解决方案；建立基于PUF的 RFID服务平台等。国内 先进
BLDC电 机驱动 芯片160.0029.4029.40研发阶段从无感控制方式出发，针对同一系列的BLDC 电机开发软硬件协同的电机驱动控制器。利用 UART、CAN等接口电路与外部系统通信与调 试，驱动算法部分通过优化控制算法和PWM 技术，控制器可以驱动同一系列或者参数相关 的BLDC，同时降低电机运行时的噪音，提升 用户体验。国内 先进
DIP4光 耦产品 线扩产 项目220.00105.70105.70研发阶段通过选取高生产效率和低材料消耗的技术方案 失效DIP4光耦产品的扩产，降低该系列光耦 产品的生产成本，提高产品竞争力。国内 先进
SOP4光 耦新封 装产品 线项目200.0061.2561.25研发阶段利用先进的技术工艺封测体积更小、厚度更薄 的新封装产品，减少产品应用线路板的空间。国内 先进
/7,590.005,605.016,059.34///
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
不适用。

九、募集资金的使用情况及是否合规
1、首次公开发行股票募集资金存放情况
截至2024年12月31日，公司使用募集资金具体情况如下：
单位：元

2、向不特定对象发行可转换公司债券募集资金存放情况
截至2024年12月31日，公司使用募集资金具体情况如下：
单位：元

银河微电2024年度募集资金的存放与使用符合《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》《上海证券交易所科创板股票上市规则》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等法律法规的相关规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，不存在变相改十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。

截至2024年12月31日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：

职务直接持股数量 （万股）间接持股数量 （万股）
董事长-7,817.58
董事-629.52
董事-30.00
董事、总经理、核心技 术人员0.9030.00
董事、副总经理0.90-
独立董事--
独立董事--
独立董事--
监事会主席-8.00
核心技术人员-25.00
监事-17.00
职工监事--
技术总监-10.00
副总经理0.9012.00
董事会秘书、财务总监0.6012.00
核心技术人员0.606.00
核心技术人员-4.00
十一、上海证券交易所或保荐人认为应当发表意见的其他事项
无。

（以下无正文）

　 中财网
各版头条